Elektronika mühazirələr

3.5.2. Bipolyar tranzistorların diod modeli və konstruksiyası.
n-p-n- və
p-n-p- tipli bipolyar tranzistorların diod modeli şəkil 3.15,a – da göstərilmişdir.
Tranzistorlarda elektron-deşik keçiriciliyini müxtəlif üsullarla alırlar. Aşağı və orta
tezlikli tranzistorları əritmə üsulu ilə alırlar. Məsələn, n – tip keçiriciliyə malik olan
nazik germanium lövhənin hər iki tərəfdən səthinə əritməklə indium (akseptor
aşqar) hopdururlar. Əritmə sərhədlərində E - emitter və K - kollektor funksiyalarını
yerinə yetirən iki deşik keçiriciliyi əmələ gəlir (şək. 3.15). Lövhə özü baza rolunun
oynayır və 1 - kristal tutqacında bərkidilərək korpusda (silindrik, yaxud başqa
formada) yerləşdirilir. Tranzistor çıxışları vasitəsilə sxemə qoşulur. 
Analoji qayda ilə n-p-n – tipli tranzistor hazırlanır. Bu halda yarım-keçirici
lövhə deşik keçiriciliyinə malik olmalıdır. Lövhənin səthinə donor maddə əridilib
daxil edilməklə n-tip keçiriciliyə malik olan oblast yaradılır. Bazanın qalınlığını
kiçik (onlarla mikrometr) edirlər. Nəticədə bazada yüklərin rekombinasiyası
praktiki aradan götürülür və baza cərəyanı azaldılır. 
Şəkil 3.14. Bipolyar tranzistor:
a - n-p-n- tip tranzistorun strukturu və qrafiki işarəsi;
b - p-n-p- tip tranzistorun strukturu və qrafiki işarəsi.
Downloaded by Mehman Mammadov ([e-mail])
lOMoARcPSD|30503707

---

Bipolyar tranzistorlarda keçidlərdə axan cərəyanların ötürülmə mexanizmi
n-p-n- tipli tranzistorun misalında şəkil 3.16,a-da və ononun real strukturu 3.16, b
– də verilmişdir.
Emitter dövrəsinə U
e
gərginlik mənbəyi qoşulduqda p-n emitter
keçidində əsas yükdaşıyıcıların qarşılıqlı hərəkəti başlanır. Belə ki, n- oblastından
p-oblastına elektronlar, p-oblastından n-oblastına isə deşiklər injeksiya olunurlar.
n-oblastında elektronların konsentrasiyası p-oblastındakı
deşiklərin
konsentrasiyasından xeyli çox olduğundan, elektronların az bir hissəsi keçiddə
deşiklərlə rekombinasiya olunur, əksər hissəsi isə bazaya keçir və bazada qeyri-
əsas yükdaşıyıcılar rolunu oynayırlar.
Bazanın qalınlığı kiçik (4-5 mkm)
olduğundan, elektronların çox hissəsi deşiklərlə rekombinasiya olunmağa imkan
tapmır və kollektor keçidinin sürətləndirici sahəsinə düşür. Bu sahə bazanın əsas
yükdaşıyıcıları üçün bağlı, ondakı qeyri-əsas yükdaşıyıcılar olan elektronlar üçün
isə açıq istiqamətdə yönəlmiş olur. Kollektor keçidində elektronların
konsentrasiyası artır, buna uyğun olaraq keçidin müqaviməti azalır və nəticədə,
kollektor cərəyanının qiyməti artaraq emitter cərəyanına çox yaxınlaşır. Baza
dövrəsinin cərəyanı isə çox kiçik olur.
Emitter cərəyanı kollektor və baza
cərəyanlarının cəminə bərabər olur:
(3.5)
a) b) c)
Şək. 3.15. Tranzistorların diod modeli (a), əritmə tranzistoru (a)
və onun sxematik quruluşu (b):
1 – Kristal tutqacı; 2 – yarımkeçirici lövhə.
Downloaded by Mehman Mammadov ([e-mail])
lOMoARcPSD|30503707

---

Şəkil 3.16. a) n – p – n tip tranzistorda cərəyanların 
paylanması sxemi, b) bipolyar tranzistorun real strukturu.