Hazırda tunel diodları Ge və GaAs -dən hazırlanır. Tunel diodlarının əsas
parametrləri VAX-ın maksimum və minimumuna uyğun gələn cərəyan (I
1
,I
2
) və
gərginliklər (U
1
, U
2
), xarakteristikanın düşən hissəni
müəyyən edən diferensial
müqavimət: I
1
/I
2
nisbəti və kimi təyin olunan gərginlik sıçrayışıdır.
3.4.4. Varikap.
Varikaplar diodların xüsusi bir növü olub, başqa diodlardan
fərqi, onların keçidinin tutumunun, ona tətbiq olunan gərginliyin qiymətindən
güclü asılı olmasıdır. Məhz bu xassəsi varikapları (ingilis dilindən - dəyişən tutum)
dəyişən tutumlu kondensator əvəzi istifadə etməyə imkan verir. Varikaplarda tutum
gərginliklə tənzim olunur. Ona görə də varikapları
sxemlərdə idarə olunan
kondensator kimi istifadə edirlər. Varikapda diodun çəpər tutumundan istifadə
olunur; belə ki, diodun çəpər tutumunun keyfiyyətliliyi (kondensatorun əsas
parametri) kifayət qədər yüksəkdir. Çəpər tutumu çox yüksək tezliklərə qədər
tezlikdən asılı deyil və temperaturdan zəif asılıdır. Əks gərginlik artdıqca,
varikapın tutumu azalır.
Varikapın iş prinsipi p-n-keçidin tutumunun gərginlikdən asılı
olaraq
dəyişməsinə əsaslanmışdır. Bağlı p-n - keçidi çəpər tutumu adlanan tutuma
malikdir. Bağlayıcı gərginlik artdıqca p-n - keçidin eni böyüyür, keçidin tutumu
azalır və gərginlik azaldıqda əksinə. Tezlik vurucularında istifadə olunan varikaplar
varikatorlar adlandırırlar. Bu cihazların işi elektron-deşik
keçidinin tutumunun
qeyri-xəttilik xassəsinə əsaslanmışdır. Əgər varikapa U
y
dəyişən gərginliyi versək
p-n - keçidin tutumu ∆C qədər dəyişəcək (şək. 3.11, a,b). Tutumun dəyişməsini
aşağıdakı kimi izah etmək olar.
Şək. 3.10. Tunel diodu:
a – şərti işarəsi; b – volt-amper xarakteristikası.
Downloaded by Mehman Mammadov (mehman1986@gmail.com)
lOMoARcPSD|30503707
U
y
gərginliyinin müsbət yarımperiodunda p-n- keçidin potensial çəpəri
(baryeri) azalır və onun bağlayıcı təbəqəsi azalır (p-n-keçidin eni azalar). Bu
kondensatorun lövhələri arasında məsafənin azalmasına ekvivalentdir və bu hesaba
tutum artır. Gərginliyin mənfi yarımperiodunda bağlayıcı təbəqə genişlənəcək və
p-n – keçidin tutumu azalar (kondensatorun lövhələri arasında məsafənin artmasına
ekvivalent olaraq). Beləliklə varikapın əsas xassəsi ondan ibarətdir ki, onun p-n –
keçidinin tutumu ona tətbiq olunan gərginlikdən asılı olan kondensatora
ekvivalentdir. Ona görə də varikaplar
parametrik gücləndiricilərdə, tezliyin
elektron köklənməsi, tezlik modulyasiyası və faza modulyasiyası sxemlərində
geniş tətbiq tapmışdır.
Varikapları nöqtəvi (p-n- keçidin yarımsfera formasında)
və müstəvi
şəklində hazırlayırlar. Aşağı tezlikli varikaplar üçün material silisium, yüksək
tezliklilər üçün isə germanium və ya arsenid galium istifadə olunur.
Varikaplar radiotexniki və elektron qurğularında idarə olunan kondensator
kimi tezliyi
avtomatik köklənən sxemlərdə, amplitud və tezlik modulyasiyalı
sxemlərdə, parametrik gücləndiricilərdə istifadə olunur. Varikapın sxemlərdə şərti
işarəsi şək. 3.11, c-də verilmişdir.
Dostları ilə paylaş: