Nə etmək lazımdır

Hazırlıq əməliyyatları. Hazırlıq əməliyyatlarına kəsmə, cilalama, pardaxlama, aşılama və təmizləmə aiddir. Tipik ölçüləri – uzunluğu 500...700 mm, diametri isə 150 mm olan monokristal külçələr 0,4...0,5 mm lövhələrə kəsilir. Lövhə kəsildikdən sonra 150...250 mkm lövhə alınması üçün xüsusi cilalama dairələrində dəfələrlə cilalanır. Lövhənin səthlərinin paralelliyinin yüksək dərəcədə olması vacib şərtdir. Bundan sonra lövhələrdə mexaniki pardaxlama işləri görülür və sonra aşılanma (kimyəvi pardaxlanma) aparılır.
Bu əməliyyatlar nəticəsində lövhənin səthi güzgüvarı, müstəvi paralelliyi 1 mkm∙sm olmalıdır. Təmizlənmə işləri yüksək temperaturda üzvi həlledicilərlə (aseton, etil spirti və s.) yerinə yetirilir. Sadalanan proseslərin əksəriyyətinin son mərhələsi lövhələrin ionsuzlaşdırılmış suda yüyülması ilə başa çatır.
Epitaksiya. Bir kristalın digərinin səthi üzərində istiqamətləndirilmiş yetişdirilməsi (artırılması) epitaksiya adlanır. Bu halda kristalın strukturu altlığın strukturunu təkrarlayır. Adətən epitaksial təbəqə və altlıq eyni materialdan olur, amma bəzən müxtəlif materiallar da istifadə edilir (kristallik struktura yaxın, məsələn, göy daşlı silisium). Əksər hallarda xlorid üsul adlanan üsuldan istifadə edirlər. Bu halda cilalanmış silisium lövhələr silisium-tetraxlorid (SiCl₄) və hidrogen qazlarının qarışığı daxil olan xüsusi kvars boruda yerləşdirilir. Borudakı temperaturu yüksəktezlikli qızdırılmanın köməyi ilə 1200С-ə çatdırdıqda təbəqənin səthində bərpa reaksiyası baş verir.
Əgər altlıqda n-tipli təbəqə yetişdirmək lazımdırsa, onda qaz qarışığına fosforla aşqarlanmış təbəqə almağa imkan verən fosforin (PH₃) əlavə edilir. p-tipli təbəqə yetişdirmək lazım gələrsə, onda qaz qarışığına bromla aşqarlanmış təbəqə almağa imkan verən diboran (B₂H₆) əlavə edilir.
Bu yolla yetişdirilən pərdələrin (nazik təbəqə) qalınlığı 1...15 mkm təşkil edir. Ancaq qalınlığı təxminən 0,1 mkm olan pərdələr yetişdirməyə imkan verən texnologiyalar da mövcuddur.