Nə etmək lazımdır

MOY-mikrosxemlər
1964-cü ildən etibarən inkişaf etməyə başlayan MOY-texnologiya da inteqrallaşırdı və komponentlərin daha çox dərəcədə inteqrasiyasına çalışırdı. Bu yoldakı addımlardan biri silisiumun lokal oksidləşdirilməsi (LOCal Oxidation of Silicon - LOCOS) texnologiyasının yaranması oldu ki, o, 1966-cı ildə Philips şirkəti tərəfindən bazar reallaşdırılmasına qədər çatdırıldı. Bu texnologiyada tranzistorlar adacıqları silisium dioksiddən hazırlanmış halqa ilə ayrılırdı ki, bu da tranzistorlar arasındakı aralıqların əvvəlkindən xeyli kiçik olmasına imkan verirdi, bununla yanaşı parazit tranzistorlar olmurdu. Sonrakı təkmilləşdirmələr kiçik oblastları selektiv aşqarlamağa imkan verən ion implantasiyasının istifadəsi yolu ilə əldə edildi. Bu prosesin Bell laboratoriyasının əməkdaşı olmuş S. Ol (S. Ohl) tərəfindən 1952-ci ildə təsvir edilməsinə və Uilyam Şokli tərəfindən 1954-cü ildə patentləşdirilməsinə baxmayaraq, onun texniki reallaşdırılması 1970-ci ilə qədər qeyri-mümkün olaraq qalırdı.
Siqnalların analoq və rəqəmsal emalını ehtiva edən və analoq-rəqəm çeviricilərindən istifadə edən qurğularda informasiyanın yüksək emal sürəti, yüksək yüklənmə qabiliyyəti, yüksək xəttilik tələb olunur, eyni zamanda onlar üçün rəqəmsal sxemlərin komponentlərinin yüksək yerləşdirilmə sıxlığı tələb edilir. Bununla əlaqədar olaraq, BKMOY-texnologiya sürətlə inkişaf etməyə başladı ki, bu zaman KMOY- və bipolyar cihazlar birlikdə istifadə edilir. Son illərdə verilənlərin yüksək ötürülmə sürətlərini və ya yüksək maksimal işçi tezliklər almağa imkan verən silisium-germanium (SiGe) texnologiyası fəal inkişaf etməkdədir. Onun mühüm istifadə oblastları transverlər (qəbuledici-ötürücülər), paralel-ardıcıl və ardıcıl-paralel çeviricilər, lazer diodlar üçün drayverlər və azküylü gücləndiricilərdir (LNA).
Yaddaş mikrosxemləri
1966-cı ildən başlayaraq, hətta kompüterlərdə istifadə edilən maqnit içliklər üzərində yaddaş yarımkeçirici yaddaş mikrosxemləri tərəfindən sıxışdırılmağa başladı. Bu tip ilk İS International Business Machines (IBM) şirkəti tərəfindən buraxıldı. O, bipolyar tranzistorlar üzərində 16 triggerdən ibarət idi və 16 bit informasiya saxlaya bilirdi. 1968-ci ildə IBM triggerlər üzərində 64-bitlik yaddaş İS-ni istehsal etdi, lakin o, 664 komponentdən (bu bir yaddaş bitinə düşən 10 komponentdən çoxdur) ibarət idi. Elə həmin il inteqral sxemlərin yaradıcısı Robert Noys (Robert Noyce) Fairchild şirkətinin iki əməkdaşı Qordon Mur (Gordon Moore) və Endryu Qruv (Andrew Grove) ilə birlikdə, sonralar Intel adı verilmiş, Integrated Electronics şirkətini qurur. 1969-cu ilin başlanğıcında Intel 64 bit həcmli statik (Şokli bipolyar texnologiyası üzrə hazırlanmış) OYQ-ni İS bazarına buraxdı. Bundan üç ay sonra elə həmin texnologiya üzrə hazırlanmış 256-bitlik yaddaş İS-i bazarda göründü. Maliyyə nöqteyi-nəzərindən hər iki mikrosxem uğurlu deyildi: onlar maqnit içliklər üzərində olan yaddaşla müqayisədə olduqca baha idilər. Lakin Intel şirkəti doğru yolda idi. Belə olan halda bir bitə düşən tranzistorların sayının azaldılması yolundan istifadə etməklə qiymətin azaldılması həlledici faktor oldu. Əslində, IBM şirkəti 1966-cı ildə birtranzistorlu yaddaşı (dinamik OYQ) icad etmişdi, lakin Intel şirkəti bu icadı kommersiya cəhətdən faydalı layihəyə çevirən ilk istehsalçı oldu. 1970-ci ilin sonlarında NMOS (n-kanallı MOY-texnologiya) üzrə hazırlanmış 1024-bitlik dinamik OYQ – 1103 İS yarandı. O, maqnit içliklər üzərində olan yaddaşdan baha idi, lakin öz texniki üstünlüyü sayəsində 1972-ci ildə ən çox satılan yaddaş mikrosxemi oldu. 1975-ci ildə o, 4 Kbit həcmli dinamik OYQ mikrosxemi ilə əvəz olundu ki, bu sonralar maqnit içliklər üzərində olan yaddaşı bazardan sıxışdırıb çıxardı. Daha sonra, 3-4 illik intervalla, 16, 64 və 256 Kbit həcmli yaddaş İS-ləri yarandı. Bu gün 1 Qbaytdan böyük həcmə malik dinamik OYQ İS-lər buraxılır. İS-lərdə tranzistorların sayının hər 18 aydan bir ikiqat artacağını Intel şirkətinin qurucularından biri olan Qordon Mur 1964-cü ildə əvvəlcədən demişdi. Mahiyyət etibarilə, bu fərziyyə doğrudur və bu gün də Mur qanunu olaraq məlumdur.
Sadə tranzistor yaddaşının yalnız bir çatışmazlığı var: o, enerjidən asılıdır, yəni ona yalnız qida gərginliyi verildikdə, o, informasiyanı saxlaya bilir. Ondan fərqli olaraq, enerjidən asılı olmayan yaddaşa yazılmış verilənlər qida gərginliyi itdikdə dəyişmir və belə yaddaş həm istehsalçı (maskalı DYQ), həm də istifadəçi (PDYQ, EPYQ, SPDYQ, ESPDYQ, fleş-yaddaş, parametrik OYQ, NROM, nanokristallik yaddaş) tərəfindən proqramlaşdırıla bilər. 1970-ci ildən başlayaraq, OYQ ilə eynivaxtlı olaraq bazarda DYQ və SPDYQ mikrosxemlər meydana çıxdı. Həmçinin onlardan az sonra ESPDYQ da əmələ gəldi. DYQ İS-lərin zamanla həcmcə artmasına baxmayaraq, onlar dinamik OYQ İS-lərlə bərabər səviyyədə qala bilmirdilər. 1987-ci ildə Intel şirkəti ilk fleş-yaddaş İS-ni bazara buraxdı. Sonrakı on il ərzində ESPDYQ-nun bu ucuz analoqu enerjidən asılı yaddaş bazarının çox hissəsini tutdu və hal-hazırda bir çox müasir qurğuları (cib kompüterləri, portativ radiostansiya, mobil telefonlar, rəqəmsal fotokameralar və s.) onsuz təsəvvür etmək mümkün deyil.
İnformasiya yazılışının daha yüksək sıxlığı ilə birgə daha aşağı qida gərginliklərinin alınması cəhdində verilənlərin saxlanmasının yeni metodları işlənib hazırlanmış və öyrənilmişdir:

• 
  NROM – informasiya daşıyıcısı qismində dielektrikdən istifadə edən fleş-yaddaş;
  
• 
  FeRAM – ferroelektrik yaddaş;
  
• 
  MRAM – maqnitorezistiv yaddaş;
  
• 
  PRAM – faza keçidi əsasında yaddaş.
  

Yaddaşın inkişafında iki tələb mühüm rol oynayır: istifadədə rahatlıq və enerjidən asılı olmama.