Toshkent davlat transport universiteti

5.3-rasm. Kuchaytirish rejimining umumlashgan sxemasi

Masalan ning ifodasini quyidagicha yozsak,

kuchaytirgichning kirish qarshiligi ifodasi hosil bo’ladi:
(5.4)
Demak, kuchaytirgichning kirish qarshiligi tranzis­tor parametrlaridan tashqari unga ulanadigan yuklama qarshiligiga ham bog’liq bo’lar ekan. Yuklama qarshiligi ortishi bilan kuchaytirgichning kirish qarshiligi kichrayadi.
Kuchaytirgichning chiqish qarshiligini aniqlash uchun chiqish zanjiri uzuq bo’lgan holdagi chiqish kuchlani­shini bilish kerak. Shuning uchun bo’lsa, (5.1) ifoda quyidagi ko’rinishga keladi:
(5.5)
Undan chiqish zanjiri uzuq bo’lgandagi kuchlanish ni aniqlash mumkin:
(5.5a)
Bu ifodani hisobga olgan holda (5.2) tizimdagi tok ifodasini quyidagicha yozish mumkin:

Bundan kuchaytirgichning chiqish qarshiligi ifodasini aniqlaymiz:
(5.6)
Demak, yarim o’tkazgichli kuchaytirgichning chiqish qarshiligi tranzistor parametrlaridan tashqari yana ku­chaytirgichning kirishiga ulanadigan signal generatorinnng R_r ichki qarshiligiga ham bog’liq bo’lar ekan.
Yarim o’tkazgichli kuchaytirgichlarda R_r va R_n kattaliklarni tranzistor parametrlari bilan sozlashga katta ahamiyat berish kerak. Maksimal energiya uzatish shartiga binoan R_p = R va R_n = R_chiq bo’lishi lozim. Ko’rilayotgan holda R_n va R_r ning qulay (optimal) qiymatlari ifodasi quyidagicha bo’ladi:
(5.7)
Kuchaytirgichlarning uchchala ulanish turi uchun kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koffitsienti
(5.7a)
tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti
(5.7b)
quvvat bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti esa,
(5.7v)
ko’rinishda ifodalanadi.
Tranzistorning har bir ulanish sxemasi uchun bu koeffitsientlarning aniq, ifodasini 5.1-jadvaldan foydalanib aniqlash mumkin.
Tranzistorning kuchaytirish rejimidagi parametrlari qanday ekani haqida tasavvur hosil qilish uchun quyidagi misolni ko’raylik:
R_e = 200 om; R_p = 600 om; α = 0 98;
R_k = 1 Mom; R_p = 100 kom; R_b = 0,5 kom,
Hisoblash natijalari 5.1 jadvalga joylashtirilgan.
5.1- jadval

Parametr	UB sx.	UE sx.	UK sx.
Ku	350	350	0,997
Ko’	101	290	0,996
KI	0,98	49	50
Rkir (Ω)	250	2,3·10^3	8,3·10^5
Rchiq (Ω)	623·10^3	1,7·10^5	200
Kr	310	2,8·10^3	8,3

Undan quyidagilarni ko’rish mumkin:

Umumiy baza sxemada quvvat kuchlanish hisobiga kuchaytirilsa,umumiy kollektor sxemada u tok hisobiga kuchaytiriladi.
Eng ko’p kuchaytirish umumiy emitter sxemada hosil bo’ladi. U sxemada kuchlanish bo’yicha, UB va UK sxemalarda esa, tok bo’yicha l ga teng faza siljishni hosil bo’ladi.
UB va UE sxemalarning kirish qarshiligi kichik, chiqish qarshiligi esa, katta bo’ladi. Aksincha, UK sxemaning kirish qarshiligi katta, chiqish qarshiligi kichikdir.
UE sxemaning kirish qarshiligi UB sxemanikidan katta bo’lib, chiqish qarshiligi esa, kichikdir.
Shunday qilib, kuchlanish va quvvatni kuchaytirish uchun tranzistorning UE ulanish sxemasi maqsadga muvofiqdir.