Toshkent davlat transport universiteti


§ 6.2. Bipolyar tranzistorlarning statik xarakteristikalari



Yüklə 2,79 Mb.
səhifə33/125
tarix11.12.2023
ölçüsü2,79 Mb.
#146279
1   ...   29   30   31   32   33   34   35   36   ...   125
ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)

§ 6.2. Bipolyar tranzistorlarning statik xarakteristikalari




Tranzistorlar uchun to’rt xil - kirish, chiqish, to’g’ri va teskari o’tish (bog’lanish) xarakteristikalar tizimi mavjud.
Kirish xarakteristikalar tizimi tranzistorning kirish tokining kirish kuchlanishiga bog’lanishini, chiqish xarakteristikalari tizimni chiqish tokining chiqish kuchlanishiga bog’lanishnii ifodalaydi. To’g’ri o’tish xarakteristikalar tizimni chiqish tokining kirish kuchlanishi bilan bog’lanishiga asoslanib, tran­zistorning kuchaytirish xususiyatlarini ifodalaydi. Teskari o’tish xarakteristikalar tizimni esa, kirish kuchlanishiga chiqish kuchlanishning ta’sirini, ya’ni tranzistordagi ichki teskari bog’lanishni ifodalaydi va tranzistor ishining nostabilligini xarakterlaydi.
Tranzistorli sxemalarni o’rganishda kirish va chiqish xarakteristikalar tizimi katta ahamiyatga ega. Shuning uchun bu xarakteristikalarni tranzistorning UB va UE ulanish sxemalari uchun aniqlaymiz.
Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteris­tikasi deganda kollektor kuchlanishi yoki toki o’zgarmas bo’lgandagi emitter tokining emitter kuchlanishiga bog’liqligi tushuniladi:

IE = f1(UE)/UkIk =const (6.12)


Bunda Uk va Ue kuchlanishlarning qiymati umumiy sim - bazaga nisbatan aniqlanadi. Shuning uchun «b» indeks tushurib qoldirilgan, ya’ni Ueb, Ukb o’rniga oddiy Ue va Uk deb yozilgan.
(6.12) ifodaning grafigi 6.2a-rasmda ko’rsatilgan. Uk=0 bo’lgandagi grafik yarim o’tkazgichli diodning to’g’ri ulanish xarakteristikasining o’zidir (6.1-rasm).
Kollektordagi manfiy kuchlanishning ortishi bilan xarakteristika emitter tokining katta qiymatlari sohasiga siljiydi. Sababi kollektor kuchlanishi ortishi bilan kollektor o’tishi kengayib, baza qatlami torayadi. Bu bazadagi diffuzion tokning, ya’ni emitter va kollektor toklarining ortishiga olib keladi,bazadagi rekombinatsiya toki va baza qarshilngidagi poten­sial tushuvi kamayadi, tashqi manba kuchlanishini o’zgarmas desak, emitter o’tishidagi kuchlanish ortib emitter tokining ko’payishiga sabab bo’ladi.


Yüklə 2,79 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   29   30   31   32   33   34   35   36   ...   125




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə