Toshkent davlat transport universiteti



Yüklə 2,79 Mb.
səhifə30/125
tarix11.12.2023
ölçüsü2,79 Mb.
#146279
1   ...   26   27   28   29   30   31   32   33   ...   125
ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)

To’yinish rejimi. Ikkala p-no’tish joyi oldinga yo’naltirilgan (ikkalasi ham ochiq). Emitter va kollektor p-no’tish joylari oldinga yo’nalishda tashqi manbalarga ulangan bo’lsa, tranzistor to’yinish rejimida bo’ladi. Emitter va kollektor birikmalarining diffuziya elektr maydoni tashqi manbalar Ueb va Ukb tomonidan yaratilgan elektr maydoni tomonidan qisman zaiflashadi. Natijada, asosiy zaryad tashuvchilarning tarqalishini cheklaydigan potentsial to’siq kamayadi va emitter va kollektordan poydevorga teshiklarning kirib borishi (injeksiya) boshlanadi, ya’ni oqimlar emitter va kollektordan o’tadi. Tranzistor, emitterning (Ie) va kollektorning (Ik) to’yinish oqimlari deb ataladi.
Kollektor-emitterning to’yingan kuchlanishi (Uke) - ochiq tranzistorda kuchlanishning pasayishi, maydon tranzistorlar uchun ochiq. Xuddi shunday, tayanch-emitterning to’yingan kuchlanishi (Ube) ochiq tranzistorda tayanch va emitter o’rtasidagi kuchlanishning pasayishi.
Berkilish ish rejimi. Ushbu rejimda kollektor p-no’tish joyi teskari yo’nalishda bo’ladi va emitterdan bazaviy hududga kichik zaryad tashuvchilarning chiqishi boshlanadigan chegara qiymatidan oshmaydigan emitter o’tish joyiga ham teskari, ham oldinga egilish qo’llanilishi mumkin. ( tranzistorlar uchun taxminan 0, 6-0,7 V).
Berkilish rejimi Ueb<0,6-0,7 V yoki Ib=0 shartiga mos keladi.
Ushbu rejimda tranzistorning doimiy asosi qisqa tutashgan yoki uning kollektori bilan kichik rezistor orqali va tranzistor orqali oqimni o’rnatuvchi tranzistorning kollektor yoki emitter pallasiga rezistor ulangan. Shu munosabat bilan, tranzistor oqim o’rnatuvchi qarshilik bilan ketma-ket ulangan diodning bir turidir. Bunday kaskadli sxemalar oz sonli komponentlar, yaxshi yuqori chastotali ajralish, katta ish harorati oralig’i va tranzistor parametrlariga befarqlik bilan ajralib turadi.


§ 5.3. Bipolyar tranzistorlarning kuchaytirish effektlari

Tranzistor kuchaytirish rejimida ishlatilganda, uning kirnshiga EYuKli manba, chiqishiga Ryuk yuklama ulanadi (5.3-rasm). Bunda to’rt qutbli tizimning kirish va chiqish kuchlanishi, mos ravishda,


(5.1)
bo’ladi. Uni to’rtqutblikning (5.1) tenglamasiga qo’ysak, quyidagi ko’rinishga keladi:
(5.2)
(5.2) ifodadan tizimning kirish va chiqish zanjiridagi tokning amplituda qiimatini aniqlash mum­kin:
(5.3)
Ular tranzistor­ning uch xil ulanishi asosida hosil bo’ladigan yarim o’tkazgichli kuchaytirgichning asosiy kattaliklarini aniqlash va baxolash imkoniyatini beradi.


Yüklə 2,79 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   26   27   28   29   30   31   32   33   ...   125




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə