Toshkent davlat transport universiteti

§ 7.3. Umumiy tushunchalar.

Ilgari zamonda vakuumli lampalarga elektron asos solgan bo’lsa, endilikda yarim o’tkazgichli qurilmalar, elektronikaning beqiyos rivojlanishiga ustqurma bo’lib xizmat qilmoqda. Vakuumli lampalarda elektr zaryadlar v balki elektronlardir. Elektr o’tkazuvchanlik jihatidan yarim o’tkazgichlar metallar va dielektriklar oralig’ida sodir bo’ladi. Yarim o’tkazgichli tranzistorlarning muhim xossalari turli tashqi omillar:

T-temperatura; F-yorug’lik oqimi;
R-bosim kuchi; E-elektr maydon kuchlanganligi;
va boshqa tashqi ta’sirlarida elektr o’tkazuvchanlikni tez o’zgarishidir. Yarim o’tkazgichlar tarkibida bir oz aralashma qo’shilganda, ularning elektr o’tkazuvchanligi bir necha ming marta o’zgarishiga olib keladi. Xulosa qilib shuni ta’kidlash mumkinki yarim o’tkazgichlarda elektronlar konsentratsiyasi kam ekanligi (metallarga solishtirganda ancha kam) va tashqi omillarga bog’liqligi sababdir. Tashqi elektr maydon ta’sirida erkin elektronlar harakatlanib, elektron o’tkazuvchanlikni hosil qiladi (n-o’tkazuvchanlik). Tashqi elektr maydon ta’sirida teshiklar maydon yo’nalishiga siljiydi. Ana shu teshiklar siljishi kattalik jihatidan elektronlar zaryadiga teng bo’lgan musbat zaryadlar tokiga ekvivalent. Bu jarayon teshikli o’tkazuvchanlik deb ataladi (p-o’tkazuvchanlik). Shunday qilib yarim o’tkazgichlarning o’tkazuvchanligi elektron o’tkazuvchanlik va teshikli o’tkazuvchanlik yig’indisidan iborat ekan. Elektron o’tkazuvchanlik xossasiga ega bo’lgan yarim o’tkazgichlar n-turdagi yarim o’tkazgichlar deb yuritiladi, teshikli o’tkazuvchanlik xossaga ega bo’lgan yarim o’tkazgichlar p-turdagi yarim o’tkazgichlar deb yuritiladi.


VIII BOB. MAYDON TRANZISTORLARNING ASOSIY TAVSIFLARI, TURLARI, ISHLASH TAMOYILLARI.


§ 8.1. p-n o’tishli maydon tranzistorlari


Unipolyar tranzistorning stok toki ikkita kuchla­nish- zatvor va stok kuchlanishlarining funksiyasidir:
I_c = f(U_z, U_c) (8.1)
Zatvor kuchlanishi o’zgarmas bo’lganda, stok tokining stok kuchlanishiga bog’liqligi
I_s= f₁(U_s)/_{Uz, = const} (8.2)
unipolyar tranzistorning chiqshi xarakteristikalar tizimi, stok kuchlanishi o’zgarmas bo’lganda stok toki­ning zatvor kuchlanishiga bog’liqligi esa, o’tish (kirish) xarakteristikalar tizimi deb ataladi.
I_s= f₂(U_z)/_{Us, = const} (8.3)
8.1-rasmda boshqaruvchi p-n o’tnshli unipolyar tranzistorlarning xarakteristikalar tizimsi ko’rsatilgan.
Chiqish xarakteristikalariii 3 ta sohaga ajratish mumkin: chiziqli soha, to’yinish sohasi va buzi­lish sohasi. Chiziqli soha kanalning bir oz qisilgan holiga to’g’ri kelsa, to’yinish sohasida kanalning ko’ndalang kesimi deyarli nolga yaqin bo’ladi.
Zatvor kuchlanishining ustki va pastkn kambag’allashgan sohalarni(p-n o’tishlarni) bir-biriga tutashtiradigan U_zo qiymati chegaraviy (ostonaviy) kuch­lanish deb ataladi.