Lazerlar fizikasidan laboratoriya ishlari



Yüklə 1,54 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə11/30
tarix29.11.2023
ölçüsü1,54 Mb.
#141668
1   ...   7   8   9   10   11   12   13   14   ...   30
portal.guldu.uz-Lazerli va optik sisteme (1)

 
3-laboratoriya ishi 
YARIM O’TKAZGICHLI LAZERNING ISHLASH PRINSIPLARINI 
O’RGANISH 
Ishning maqsadi: yarim o‘tkazgichli lazerning ishlash prinsipini o‘rganish va yarim 
o‘tkazgichli lazerning nurlanish quvvatini ineksiya tokiga eksperimental 
bog‘liqligini olish. 
Aksessuarlar va butlovchilar: yarimo‘tkazgich lazer, elektr metr. Referatlar: [1-8] 
 
NAZARIY KIRISH 
1963 yilda Jores Alferov va Gerbert Kremer yarim o‘tkazgichli geterostrukturalar 
nazariyasini mustaqil ishlab chiqdilar, keyinchalik yarim o‘tkazgichli lazerlarni 
yaratishga 
asos 
bo‘ldi.Birinchi 
yarim 
o‘tkazgichli 
lazerlar, 
deb 
nomlangan"injection", gallium arsenide bir yarimo‘tkazgich kristalli 1962 yilda 
amalga oshirildi. Hozirgi vaqtda in‘ektsion lazerlar elektr energiyasini kogerent 
optik nurlanish energiyasiga aylantirish uchun oddiy, ixcham va yuqori samarali 
qurilmalar bo‘lib, ular keng amaliy dasturga ega.Yarim o‘tkazgichli lazer-elektr toki 
o‘tkazilganda kogerent nurlanish hosil qiluvchi optoelektron qurilma. Yarim 
o‘tkazgichli lazerlarning ko‘pchiligi lazer diodlari bo‘lib, unda p-n birikish 
mintaqasida elektr nasos yordamida populyatsiya inversiyasi yaratiladi. Shu bilan 


birga, shunday yarim o‘tkazgichli lazerlar ham mavjudki, ularda optik nasos 
natijasida lazer generatsiyasi sodir bo‘ladi.Hozirgi vaqtda yarim o‘tkazgichli lazerlar 
aloqa tizimlarida, sanoatning turli sohalarida, ilmiy tadqiqotlarda, oddiy iste‘mol 
buyumlarida, jumladan, musiqa markazlarida, kompakt disklarda (CD va DVD-
ROM) ultra katta sig‘imli romlarda keng qo‘llanilmoqda. Yarim o‘tkazgichli 
lazerlarning bunday keng qo‘llanilishi ularni elektr toki bilan to‘g‘ridan-to‘g‘ri 
nasos bilan ta‘minlash imkoniyatidan kelib chiqadi. Yarim o‘tkazgichli lazerlar 
yuqori samaradorligi bilan ajralib turadi va keng spektral diapazonda ishlaydi. 
Yarim o‘tkazgichli lazer generatsiyasining to‘lqin uzunliklariga mos spektral 
diapazon 2.1-rasmda ko‘rsatilgan. 
2.1. Turli xil lazer diodlarining spektral xarakteristikalari 
yarim o‘tkazgichli materiallar
Yarimo‘tkazgichli lazerning fizik asoslari 
Yarimo‘tkazgich kristallarning tuzilish xususiyatlari ularda energetik holatlar 
zonalarining 
mavjudligiga 
olib 
keladi. 
Yarim 
o‘tkazgichli kristallarda 
elektronlarning energetik holatlari ma‘lum energiyaga ega bo‘lgan holatlar bilan 
ifodalanmaydi, balki keng polosalar-energetik zonalar orqali ifodalanadi (rasm. 2.2). 
Ruxsat etilgan energetik zonalar (valent tasma va o‘tkazish polosasi) bir-biridan
kenglikdagi polosali bo‘shliq bilan ajralib turadi. Tarmoqli bo‘shliqning 
kattaligigako‘pligi yarimo‘tkazgichning eng muhim xususiyatlaridan biridir. 
Kristallning solishtirma o‘tkazuvchanligini va uning temperaturaga bog‘liqligini 
hamda yarim o‘tkazgichning shaffoflik oralig‘ini aniqlaydi. 
2.2-rasm. Energetik zonalar diagrammasi va yarim o‘tkazgichli tuzilishdagi 
rekombinatsiya-nurlanish jarayonini tasvirlash. 


Yarim o‘tkazgichli lazerlarning ishlash prinsipini FIK yordamida juda sodda 
tushuntirish mumkin. 2.2 (a, b), yarimo‘tkazgichning valent polosasi V va 
o‘tkazuvchanlik polosasi S ni ko‘rsatib, energetik bo‘shliq bilan ajratgan. 
Mulohazaning soddaligi uchun yarimo‘tkazgich t q o k temperaturada deb faraz 
qilaylik. 2.2 a). Bundan ayrim elektronlar valent banddan qandaydir mexanizm 
bo‘yicha o‘tkazish bandiga ko‘chgan deb faraz qilaylik. Juda qisqa vaqtdan so‘ng 
(~1 ps) o‘tkazish polosasidagi elektronlar shu zonaning eng past bo‘sh sathlariga 
o‘tadi. Bu holda valent bandning yuqori qismida joylashgan elektronlar ham valent 
bandning eng pastki sathlariga o‘tib, shu tariqa bu zonaning yuqori qismida "teshik" 
lar qoldiradi(uz. 2.26). Shakl ichida kesilgan chiziqlar. 2.2 b.o‘tkazuvchanlik 
tasmasi uchun Fermi sathini E‘fc va shunga mos ravishda valent tasmasi uchun E‘fv 
ni ko‘rsating. Temperaturadagi E‘fc va E‘fv sathlar t q o K mos zonaning Fermi 
sathi uchun quyidagi holatlarni elektronlar to‘liq egallagan va undan yuqoridagi 
holatlarni bo‘sh bo‘lgan energiyani aniqlaydi. Agar o‘tkazuvchanlik bandidan 
elektron qayta valent bandga o‘tib, teshik bilan rekombinatsiya qilinsa, 
rekombinatsiya-emissiya jarayoni sodir bo‘ladi, natijada an‘anaviy yorug‘lik 
chiqaruvchi diodlarda (LED, yoki LED qisqartmasiga ega bo‘lgan) spontan 
nurlanish tarqaladi. Muayyan sharoitlarda yarim o‘tkazgichli tuzilmalarda majburiy 
rekombinatsion 
nurlanish 
jarayoni 
sodir 
bo‘lib, lazer hosil bo‘lishini 
ta‘minlaydi.2.3-rasmda p-n o‘tishning tipik energetik diagrammasi keltirilgan. 
O‘tkazuvchanligi har xil bo‘lgan ikki yarim o‘tkazgichli tuzilmalar orasidagi kontakt 
p-n birikmaning paydo bo‘lishiga olib keladi. Bu holda elektronlar teshik 
o‘tkazuvchanlikka ega zonaga, teshiklar esa elektron o‘tkazuvchanlikka ega zonaga 
diffuziyalanib, natijada hajm zaryadi p va potensiallar farqi VD Fermi sathlarining 
har xil o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan hududlarda mos kelishini ta‘minlaydi. 
2.3-rasm. Energiya diagrammasi: a) nol ko‘chishda degenerat p-n birikish; b) p-n 
birikish uchun tarmoqli bo‘shliq kengligiga solishtirma musbat kuchlanish 
qo‘llanilganda darajali ko‘chish. 
Termodinamik muvozanatda elektronlar va teshiklar p-n birikma orasida mavjud 
bo‘lgan potensial to‘siq tufayli bir-biri bilan rekombinatsiya qila olmaydi. Agar p-n 
to‘siqqa oldinga yo‘nalishda tashqi kuchlanish qo‘llanilsa, potensial to‘siq kamayadi 


 

(rasm. 2.3 b). Shu bilan birga, elektronlar oqimi va ijobiy teshiklar qarama-qarshi 
yo‘nalishlarda paydo bo‘ladi. O‘tkazish bandidagi erkin elektronlar valent bandga, 
valent banddan teshiklar esa o‘z navbatida o‘tkazish bandiga suriladi. Natijada 2.3 
B-rasmda ko‘rsatilgan teskari populyatsiyaga ega tor zona hosil bo‘ladi. 
Teskari populyatsiyaga ega bo‘lgan balka qalinligi asosan p-tip aralashmalar bilan 
doplangan qatlamdagi elektronlarning diffuziya doimiysi D va rekombinatsiya vaqti 
bilan aniqlanadi. Diffuziya doimiysi Dq10 sm2G‘s va kompleksliq10-8 s bo‘lgan 
Gaas strukturasi uchun aktiv muhitning qalinligi d kompleksli 1 mkm. 
Radiatsiya generatsiyasi aholi inversiyasi yaratilgan hududda elektronlar va teshiklar 
rekombinatsiyalanganda sodir bo‘ladi. Agar kvant energiyasiga ega bo‘lgan 
nurlanish Ec-Evinduksiyalanishi mumkin o‘tkazuvchanlik tasmasining to‘ldirilgan holatlaridan 
valent tasmaning shipidagi erkin holatlariga pastga yo‘nalgan. Agar degenerat yarim 
o‘tkazgich optik rezonatorga joylashtirilsa, unda chiqadigan fotonlar kristaldan yana 
va yana o‘tib, har safar fotonlarning yangi "ko‘chkilari" ni yaratadi, keyin har bir 
o‘tish bilan rezonatorlarning rezonans xususiyatlari tufayli yangi fotonlar 
energiyasining chastota diapazoni torayadi. Agar elektron-teshik juftining 
rekombinatsiyasi fononning qo‘zg‘alishi yoki yutilishi bilan kechmasa, bunday 
elektronni valent bandga o‘tishi bevosita deyiladi (rasm. 2.4). Bu holda, oldin va 
o‘tish keyin elektronning momenti saqlash qonuniga muvofiq teng zarba bo‘lishi 
kerak. Bilvosita o‘tishlarda nurlanishning yutilishi v ~ uzayishi G‘ h fononning 
qo‘zg‘alishi yoki yutilishi, ya‘ni EF ~ h energiyasining bir qismi bo‘lgan yarim 
o‘tkazgich kristall panjarasining tebranishi bilan kechadi, bu erda vzv-panjaraning 
tovush tebranishlari chastotasi. 
2.4-rasm. Yarim o‘tkazgichda bevosita va bilvosita o‘tishlar, P - mos keluvchi impuls 
kristall panjaraning tebranishlari 
Rekombinatsiya uchun to‘g‘ridan-to‘g‘ri o‘tishlarda elektron va teshik deyarli teng, 
ammo qarama-qarshi impulslarga ega bo‘lishi kerak. 



 


Uchta zarracha ishtirokida radiatsion o‘tishlar ehtimoli ikkitadan past bo‘lgani uchun, 
shuning uchun to‘g‘ridan-to‘g‘ri bandli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichlarda radiatsion 
rekombinatsiya ehtimoli doimo bevosita bandlilarga nisbatan kam bo‘ladi. Shunday 
qilib, optoelektron qurilmalar uchun spektral diapazoni fundamental yutilish 
mintaqasida yotadigan to‘g‘ri chiziqli energetik tuzilishga ega yarim o‘tkazgichli 
birikmalardan foydalangan ma‘qul Sof, tozalanmagan yarim o‘tkazgichli 
materiallarda bir vaqtning o‘zida elektronlar va teshiklarning degenerasiyasini olish 
deyarli mumkin emas. Agar kristallga donor elektronlarni berib, ma‘lum aralashmalar 
kiritilsa (sathi o‘tkazish polosasi ek ning pastki qismiga yaqin joylashgan), u holda n-
tip yarim o‘tkazgich yaratilishi mumkin. Vaziyat p-tip yarimo‘tkazgichda o‘xshash 
bo‘lib, uning atomlari akseptor elektronlarni valent bandi ev qirrasi yaqinida 
energetik sathlar hosil qiluvchi qabul qiladi. Nopoklik yarim o‘tkazgichlarda 
elektronlar yoki teshiklarning degenerasiyasi yarim o‘tkazgichning doping darajasini 
nazorat qilish orqali osongina olinadi. 
Majburiy o‘tishlar tufayli nurlanish orttirmasi yarimo‘tkazgich kristalldagi 
yo‘qotishlariga teng bo‘lgan minimal tok Ostona deyiladi. P-n kavsh qaytarishdagi 
inversiya holati kavsh qaytarishdagi elektr maydoni qanchalik yuqori bo‘lsa, ya‘ni bu 
kavsh qaytaruvchi orqali tok oqimi shunchalik katta bo‘ladi. Dastlab, past oqim 
qiymatlarida spontan nurlanish (rekombinatsion luminesans) kuzatiladi va barcha 
yo‘nalishlarda tarqaladi. Qarama-qarshilik ortgan sari tok stimullangan nurlanish 
uchun sharoit yaratilgan Pol qiymatiga erishadi va p-n tutashma tekisligida yo‘nalgan 
monoxromatik yorug‘lik nurini chiqaradi. 
Qarshi lazer blok diagrammasi Homo-birikmaning qarshi lazerining blok 
diagrammasi sek. 2.4 va 2.5. Lazer generatsiyasi uchun zarur bo‘lgan rezonatorda 
teskari aloqa bilan ta‘minlash uchun yarim o‘tkazgich kristalining uchlari bir-biriga 
parallel qilib qo‘yiladi. Yarim o‘tkazgichlarning sindirish ko‘rsatkichi odatda juda 
katta (gallium arsenid uchun n q 3.6), shuning uchun uchlariga akslantiruvchi 
qoplamalar qo‘llash shart emas. 
2.4-rasm. Yarimo‘tkazgichli lazerli tutashma: 1 - molibdenli yaltiroq substrat, 2 - 
tashuvchi injektorning elektr kontaktlari, 3 - n-tipdagi yarimo‘tkazgich, 4 - p-n 
yarimo‘tkazgichli tutashma, 5 - p-tipdagi yarimo‘tkazgich, 6 va 7 - silliqlangan 
yuzlar. 


2.5-rasm. Yarim o‘tkazgichli lazerning xomaki birikmasida tuzilishi; strukturaning 
ikki yon yuzi o‘tish tekisligiga perpendikulyar yo‘nalgan yoki silliqlangan bo‘ladi. 
Boshqa ikkitasi asosiy (Fabry—Perot rezonatori) bilan mos kelmaydigan 
yo‘nalishlarda ijobiy geribildirim shakllanishini istisno qilish uchun qo‘pol qilinadi. 
Qarshi lazerining spektral va energetik xususiyatlari Yarimo‘tkazgichli lazerda 
stimullangan nurlanishni hosil qilish momenti spektral chiziqning keskin torayishi va 
nurlanish divergensiyasi bilan aniqlanadi (Fig. 2.6). Bu torayishning fizik tabiati 
boshqa turdagi lazerlardagi kabi bir xil: aktiv muhitda faqat rezonatorning o‘z 
tebranishlariga mos keluvchi rejimlari populyatsiya inversiya holati bajarilganda 
yuzaga keladi. Yarim o‘tkazgichli lazerning optik rezonatoridagi tebranishning 
spektral tarkibi aktiv moddaning muhim dispersiyasi, ya‘ni sindirish ko‘rsatkichining 
chastotaga bog‘liqligi tufayli teng emas. Bo‘ylama usullari orasidagi masofa quyidagi 
munosabat bilan aniqlanadi bu erda dnG‘d-hosil bo‘lgan nurlanishning chastota 
diapazonidagi sindirish ko‘rsatkichi gradienti, L-kristallning uzunligi, c-yorug‘lik 
tezligi, n-sindirish ko‘rsatkichi, v0-nurlanish chastotasi. 1015 y.Hz. ning buyurtmasi 
bo‘yicha yirikligi

2.6. Uzoq zonadagi (chapda) divergensiya va radiatsion maydonning mintaqadagi 
taqsimlanishi 
faol qatlam (o‘ng).
Radiatsiya 
divergensiyasi 
uzoq 
zonada 
radiatsiya 
maydonini 
kuzatishda 
yarimo‘tkazgich lazerning radiatsiya namunasi bilan belgilanadi. 2.6-rasmda asosiy 
va yon loblar ko‘rsatilgan. Burchak intensivlik taqsimoti I (uzel) bir tekis qo‘zg‘algan 
aktiv qatlamning D kenglikdagi tirqishi bilan yaratilgan difraksion naqshga mos 
keladi. Bu radiatsion rejimning maydon taqsimoti Ex o‘tish tekisligiga normal 
yo‘nalishda balandlik bilan cheklanganligini bildiradi: λ bu radiatsiya to‘lqin uzunligi 
qaerda, θ azimuthal burchagi hisoblanadi.Bo‘ylama yo‘nalishda p - n birikmaning D 
kengligi lub ning burchakli eritmasidan taxmin qilish mumkin 














Yüklə 1,54 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   7   8   9   10   11   12   13   14   ...   30




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə