Е. S. C ə f ə r o V f I z I k a
Yüklə 5,01 Kb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- olunmuş formada olacaq. Qeyd edim ki, bu qrafikə əsasən həm Şəkil 189.
- YARIMKEÇİRİCİLƏRDƏ ELEKTRİK CƏRƏYANI.
168 əsasən). Bu halda yaranan cərəyan şiddəti qısa qapanma cərəyan şiddəti adlanır və ilə işarə olunur. ifadəsində şərtini nəzərə alsaq, onda qısa qapanma cərəyan şiddəti üçün alarıq. Tam dövrə üçün Om qanununun ifadəsindən və ya alınır. Qeyd edək ki, və ifadələri gərginlik düşgüsü adlanır. Deməli, tam dövrə üçün Om qanununa əsasən elektrik hərəkət qüvvəsi və müqavimətlərindəki gərginlik düşgülərinin cəminə bərabər olur. Cərəyan mənbəyinin qütblərinin açıq olması, başqa sözlə, xarici müqavimətin sonsuz böyük olması ( ) deməkdir. Əslində, cərəyan mənbəyinin qütbləri, hətta bizim açıq hesab etdiyimiz hallarda da qapalı olur. Belə ki, bu halda mənbəyin qütbləri müqaviməti sonsuz böyük olan dielektrik hava ilə qapanmış olur. Bu halda dövrədə cərəyan olmur. Dediklərimizi Om qanununun ifadəsindən də almaq olur. Düsturda ) şərtini nəzərə alsaq, 0 alarıq. Bu halda, yəni elektrik dövrəsi açıq olan halda mənbəyin sıxaclarındakı gərginlik onun e.h.q. -ə bərabər olacaq: . Dediklərimizi ümumiləşdirərək deyə bilərik ki, əgər dövrə qapalı olan halda mənbəyin qütblərinə birləşdirilmiş voltmetr onun qütblərindəki gərginliyi göstərirsə, dövrə açıq olan halda isə mənbəyin elektrik hərəkət qüvvəsini göstərir. Qapalı elektrik dövrəsinin faydalı iş əmsalı belə olan halda və ya kimi təyin ediləcək. ifadəsindən və ya alarıq. Bu isə asılılığı deməkdir. Onda qapalı dövrədə cərəyan mənbəyinin qütblərindəki gərginliyin cərəyan şiddətindən asılılıq qrafiki şəkil 189 – da təsvir olunmuş formada olacaq. Qeyd edim ki, bu qrafikə əsasən həm Şəkil 189. 169 mənbəyin e.h.q -ni, həm də qısa qapanmaya uyğun cərəyan şiddətini tapmaq olur. Artıq qeyd etdiyimiz kimi, dövrə açıq olduqda ( = 0) e.h.q. mənbəyin sıxaclarındakı gərginliyə bərabər olur. Şəkildən də göründüyü kimi, = 0 olduqda, olacaq. Qısa qapanma zamanı isə ( ) cərəyan şiddəti artıb, maksimum qiymət alır. Onda şəkildəki qrafikə uyğun olaraq, qrafikin oxu ilə kəsişməsinə uyğun nöqtə - yə uyğun gələcək. Bu qrafikdən həm də mənbəyin daxili müqavimətini tapmaq olur. Bunun üçün verilmiş qrafikə uyğun və -ni tapıb, ifadəsində yazmaqla, cərəyan mənbəyinin daxili müqavimətini kimi müəyyən etmək lazımdır. YARIMKEÇİRİCİLƏRDƏ ELEKTRİK CƏRƏYANI. Yarımkeçiricilərin elektrik keçirməsi naqillərə nisbətən pis, dielektriklərə nisbətən isə yaxşıdır. Belə çıxır ki, yarımkeçiricilər nə yaxşı naqil deyillər ki, onlardan naqil kimi istifadə etmək mümkün olsun, nə də dielektrik deyillər ki, onlardan izolyator kimi istifadə olunsun. Ona görə də, uzun müddət yarımkeçiricilərdən yalnız metal kimi istifadə edilmişdir, lakin sonralar yarımkeçiricilərin iki müxtəlif xüsusiyyətini aşkar etmək mümkün olmuşdur ki, bu xüsusiyyətlər də yarımkeçiriciləri əvəzolunmaz naqilə çevirmişdir. Bu xüsusiyyətlərdən biri odur ki, metal naqillərdən fərqli olaraq, temperaturun artması yarımkeçiricilərin müqavimətini artırmır, əksinə, kəskin azaldır (şəkil 190). Bu o deməkdir ki, metal naqillər qızdıqca, pis naqilə çevrildiyi halda, yarımkeçiricilərin temperaturu artdıqca, Şəkil 190. onlar daha yaxşı naqilə çevrilirlər. Başqa sözlə, aşağı temperaturlarda yarımkeçiricilər dielektriklərə daha yaxın olduğu halda, temperaturun artması nəticəsində onlar yaxşı naqillərə çevrilirlər. İkinci xüsusiyyət ondan ibarətdir ki, hər hansı yarımkeçiricinin içərisinə cüzi miqdarda digər yarımkeçiricini aşqar kimi daxil etdikdə, hətta aşağı 170 temperaturlarda belə o naqilə çevrilir. Yarımkeçiricilərdə kəşf olunmuş bu xüsusiyyətləri aşağıdakı kimi izah etmək olar. Məlum olduğu kimi, silisium (Si) - dördvalentli kristall quruluşa malik yarımkeçiricidir. Onun dörd valent elektronu dörd qonşu atomla rabitə yarada bilir. Belə rabitə ikiqat elektron rabitə və ya kovalent rabitə adlanır. Aşağı temperaturlarda bu rabitələr kifayət qədər güclüdür. Ona görə də, aşağı temperaturlarda yarımkeçiricinin daxilində sərbəst yüklü zərrəciklər olmur, yəni yarımkeçirici qeyri - naqil Şəkil 191. olur (şəkil 191). Temperaturun artması nəticəsində rabitə yaratmaqda iştirak edən elektronlar qopa bilir və buna görə də yarımkeçiricinin daxilində sərbəst elektronlar əmələ gəlir, yəni yarımkeçirici naqilə çevrilir. Bu zaman qopmuş elektronun yeri boş qalır və həmin boş yerlər müsbət yükə malik olur. Maraqlıdır ki, yarımkeçiriciyə elektrik sahəsi ilə təsir etdikdə elektronlarla yanaşı, müsbət yükə malik boş yerlər (deşiklər) də nizamlı hərəkət edir (aydındır ki, elektronların hərəkətinin əksinə). Deməli, yarımkeçiricilərdə elektrik cərəyanı yaratmaqda elektronlarla yanaşı, həm də müsbət yüklü deşiklər iştirak edir. Ona görə də deyilir ki, yarımkeçiricilər həm elektron, həm də deşik keçiriciliyə malik olurlar. İndi də yarımkeçiricilərin ikinci xüsusiyyətinin izahını verək. Fərz edək ki, silisium yarımkeçiricisinin içərisinə cüzi miqdarda beş valentli arsenium (As) yarımkeçiricisi aşqar kimi əlavə edilmişdir. As atomları Si - un quruluşuna uyğun olaraq, dörd qonşu silisiumla rabitə yaratmalıdır. Bunun üçün isə ona 4 valent elektronu tələb olunur. Rabitə yaranan zaman As – un beşinci valent elektronu sərbəst hala keçir. Deməli, hətta aşağı temperaturda belə, bu cür qarışığın içərisində əvvəlcədən sərbəst elektronlar olur. Temperaturun sonrakı artması isə rabitələrin qırılmasına, nəticədə deşiklərin və yeni elektronların yaranmasına səbəb olur. Bu halda elektronların sayı deşiklərin sayından çox olduğundan, bu cür aşqarlı yarımkeçiricilər n - tip yarımkeçiricilər adlanır ( n - neqativ - mənfi mənasını verir). n - tip yarımkeçiricilərdə sayı çox olan elektronlar - əsas, sayı az olan Yüklə 5,01 Kb. Dostları ilə paylaş:
|