Elmi ƏSƏRLƏR, 2017, №3 (84) nakhchivan state university. Scientific works, 2017, №3 (84)

149 
hipoxloritlə oksidləşmə-polikondensləşmə reaksiyasının gedişi reaksiyanın şəraitindən çox asılıdır. 
Belə  ki,  karbon  qazı  iştirakında  o-xloranilinin  natrium  hipoxloritlə  oksidləşmə-  polikondensləşmə 
şəraitinin oliqoxloranilinin çıxımına təsiri temperaturdan, mühitin pH-ındaıı və reagentlərin molyar 
nisbətindən  asılıdır.Bu  şəraitdə  oliqoxloranilinin  çıxımı  o-xloranilinin  və  oksidləşdiricinin  molyar 
nisbətindən kifayət qədər asılıdır. Belə ki, natrium hipoxloritin miqdarını o-xloranilinin bir moluna 
görə  4  mola  qədər  artırdıqda  323  K  temperaturda  5  saat  müddətində  çıxım  66%  qədər  artır. 
Temperaturu  298  K-dən  323  K-nə  qədər  artırdıqda  oliqomerin  çıxımı  bir  qədər  azalır.  Bu  onunla 
əlaqədardır  ki,  temperatur  artdıqda  natrium  hipoxloritin  parçalanma  sürəti  onun  xloranilinlə 
qarşılıqlı təsiri sürətindən artıq olur. Oksidləşmə-polikodensləşmə reaksiyasının gedişinə pH böyük 
təsir  göstərir.  Belə  ki,  zəif  turş  mühitdə  (pH=6,5)  oliqoxloranilinin  çıxımı  37%  olur.  Oliqoxlo-
ranilinin  maksimal  çıxımı  pH=5,4  əmələ  gəlir.  Bu  faktlar  onu  göstərir  ki,  karbon  qazı  qələvini 
neytrallaşdırır  və  reaksiya  qabiliyyətli  xloranilin  duzu  əmələ  gətirir.  Karbon  qazının  təsirindən 
əmələ gələn hipoxlorit turşusu asanlıqla xloranilin duzunu oksidləşdirir. 
ƏDƏBİYYAT 
1.
 
A.A. Берлин, M.А. Гейдер, Б.Э. Давыдов, В.А. Каргин, Г.П. Картачева, Б.А. Кренцел, 
Г.В.Хутарева «Химия полисопряженных систем» , М.:Химия, 1972 
2.
 
В.Broich, Î.Hocker.// Ber-Bunsenges Phys. Chem.l984,V. 88.№5 p.497 
3.
 
А.В.Рагимов, Б.А.Тагиев, А.Г.А. С.Мамедова 854960,СССР // Б. H. 1980, №30, с.112 
4.
 
Рагимов А.В., Касумов Ф.Х. , Кузаев А.И. Синтез и исследование олигофениленамина 
// Высокомолек. соед.-1988 №11 с. 804-807 
5.
 
Касумов  Ф.Х.  ,Рагимов  А.В.,Окисление  анилина  в  слабокислой  спеле  //  Тез.  локл.-
Нахчван.1986.- с.58 
ABSTRACT 
Firdovsi Gasımov 
Synthesis of oligochloroaniline 
This article is dedicated to research results of oxidation polycondensation of o-chloroaniline with 
water solution of sodium hypochlorite in slightly acidic conditions. If CO
2
 gas is passed from mixture of 
o-chloroaniline with water solution of sodium hypochlorite, temperature of reaction mixture is raised to 
290  K  from  280  K  in  50  minutes.  During  this  time  the  pH  of  the  environment  changes  from  10,5  to 
5,4.This facts and high-yield formation of oligochloroaniline shows that o-chloroaniline is highly prone to 
oxidation  polycondensation  in  such  environment.  During  an  hour  with  CO
2
  gas  participation  51% 
oligomer is formed. If sodium hypochlorite amount is increased to 4 moles from 1 mole for 1 mole of o-
chloroaniline in 5 hours time and 323 K temperature output is raised nearly to 66%. 
РЕЗЮМЕ 
Фирдовси Касумов 
Синтез олигоxлоранилина 
В  статье  рассматриваюся  результаты  исследований  окислительной  поликонденсации 
о-xлоранилина  с  водным  раствором  гипохлорита  натрия  в  слабокислой  среде.  При 
пропускании углекислого газа через смесь о-xлоранилина с водным раствором гипохлорита 
натрия  наблюдается  рост  температуры  реакционной  смеси  от  280  до  290  К  в  течение  50 
минут.За ето время pH среды снижается от 10.5 до 5.4.Эти факты свидетельствуют с высокой 
склонности  о-xлоранилина  к  окислительной  поликонденсации  в  этих  условиях,  что  согла-
суется  также  с  обазованием  высокого  выхода  олигоxлоранилина.  За  час  в  присутствии 
углекислого газа образуется 51% олигомера. 
С увеличением содержания гипохлорита натрия от одного до 4 молей к одному молю о-
xлоранилина выход олигомера при 323 К за 5ч растет на 66%. 
NDU-nun  Elmi  Şurasının  27  aprel  2017-ci  il  tarixli  qərarı  ilə 
çapa tövsiyyə  olunmuşdur. (protokol № 08)
. 
Məqaləni çapa təqdim etdi: Kimya elmləri doktoru, professor 
T.Əliyev
 
 
 
 

---

150 
NAXÇIVAN DÖVLƏT UNİVERSİTETİ.  ELMİ ƏSƏRLƏR,  2017,  № 3 (84) 
 
NAKHCHIVAN STATE UNIVERSITY.  SCIENTIFIC WORKS,  2017,  № 3 (84) 
 
НАХЧЫВАНСКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ  УНИВЕРСИТЕТ.  НАУЧНЫЕ  ТРУДЫ,  2017,  № 3 (84) 
 
PƏRVİN QULİYEV 
Naxçıvan Dövlət Universiteti 
[e-mail] 
UOT:
 
544.641
 
STİBİUM XALKOGENİDLƏRİN BƏZİ SİNTEZ METODLARI
 
Açar sözlər: elektrokimya, yarımkeçirici, nazik təbəqə,  konversiya,  monokristal 
Key words: electrochemistry,  semiconductor , thin film, conversion,  monocrystalline 
Ключевые слова: электрохимия,  полупроводниковые, Тонкие плёнки,  преобразование, 
моно кристаллического 
Müasir mikroelektronikanın ən prespektivli materiallarından bir qismi də  xalkogenidli birləş-
mələrdir.  Bu  birləşmələrin  fiziki-kimyəvi və elektrofiziki  parametrləri  geniş  spektirlidir 

4

.  Məhz 
bu  səbəbdən  yeni  tip  daha  mürəkkəb  xalkogenid  materialların  alınması,  mövcud  yarımkeçirici 
xalkogenid  birləşmələrin  alınması  və  bu  kimi  bir  sıra  yarımkeçirici  birləşmələrin  xassələrinin 
yaxşılaşdırılması istiqamətində ardıcıl tədqiqat işləri aparılır.  
Son  zamanlar  texnikanın  müxtəlif  sahələrində-  xüsusən  günəş  enerjisinin  elektrik  enerjisinə 
çevirmək üçün bərk və maye günəş batareyalarının hazırlanmasında xalkogenidlərdən istifadə olunması 
böyük maraq kəsb edir. Təbii enerji mənbələrinin ehtiyatlarının azalması günəş enerjisindən istifadəni 
ön plana çıxarır. Yarımkeçirici materiallardan hazırlanmış günəş batareyalarında işıq şüalarının elektrik 
və  ya  kimyəvi  enerjiyə  çevrilməsi  qalınlığı  10  mkm-dən  çox  olmayan  səth  təbəqəsində  baş  verir 

1

. 
Belə ki,  şüaların  əsas hissəsi 2-3  mkm qalınlığında olan təbəqələrdə udulur. Adətən  belə elementlərin 
hazırlanmasında ilkin material olaraq  250-300 mkm qalınlığında baza nümunələrindən istifadə edilir 

3

. Monokristal və polikristal  yarımkeçiricilərin istehsalı zamanı onların qalınlığının azaldılması həm 
texnaloji  çətinliklərə,  həm  də  keyfiyyətsiz  nümunələrin  alınmasına  gətirib  çıxarır.  Yuxarıda  qeyd 
olunanları  əsas  götürərək,  birbaşa  optik  keçidə  malik  yarımkeçirici  materilalların  nazik  tbəqələrinin 
alınması  və  onlar  arasında  effektiv,  eləcə  də  ucuz  günəş  elementlərinin  hazırlanmasına  istifadəçilər 
tərəfindən cəhd edilməsi tamamilə məqsədəuyğundur.  
Nazik yarımkeçirici təbəqələri müxtəlif üsullarla almaq olar: vakumda termiki buxarlandır-
ma,  pirolitik  parçalanma,  kimyəvi  çökdürmə,  elektrokimyəvi  metodla 

1

.  Hal  hazırda  vakumda 
termiki buxarlandırma üsulu nisbətən ətraflı öyrənilmiş və geniş tətbiq edilir. Lakin bu və ya digər 
sintez metodlarının tətətbiqi müəyyən çətinliklərlə məhdudlanır, yaxud tətbiq olunması mümkünsüz 
olur.  Ədəbiyyat  araşdırmalarından  məlum  olmuşdur  ki,  stibium  xalkogenidlər  nisbətən  yüksək 
temperaturda  dissosasiya  edir 

2

.  Bu  da  alınan  təbəqələrin  tərkib  və  qalınlığına  görə  bircinsli 
olmasına əngəl törədir.   
Stibium xalkogenidlər yarımkeçirici materiallar arasında xüsusi yer tutur və tətbiqi əhəmiy-
yətli yüksək  termoelektirik, fotoelektrik xassələrə malikdirlər. Bu xüsusiyyətlər həmin materialların 
elektron  sənayesində  geniş  tətbiq  olunmalarına  əlverişli  şərait  yaradır.  Bu  baxımdan  deffektli 
qurluşa  malik  xalkogenid  birləşmələrin,  xüsusilə  də  stibium  xalkogenidlərin  fiziki  xassələrinin 
öyrənilməsi elmi və praktiki baxımdan böyük maraq kəsb edir.  
Sürmənin nazik xalkogenid təbəqələri optik elektron və günəş batareyalarında onların xüsusi 
tətbiqinə görə diqqəti cəlb edir. Ədəbiyyatdan məlumdur ki, stibium əsaslı A
2
V
B
3
VI
 xalkogenidləri 
müxtəlif kristal və polikristal formalar əmələ gətirir 

11

. 1. Fəza qrupu Pbnm-D
2h
16 
və D
S
5 
struktur 
tipli olan, rombik sinqoniyalı birləşmələr, bura Sb
2
Se
3
, Sb
2
S
3
 daxildir. Bu birləşmələrin strukturası 
C  oxu  boyunca  ziqzaqvari  zəncirdən  qurulmuşdur.  Zəncir  daxilində  əlaqə  kovalentdir,  zəncir 
arasında isə əlaqə zəifdir. 2. Fəza qrupu R
3m
-D
3d
5
 və C-33 struktur tipli, tetrodimitlə izostruktur olan 
birləşmələr. Bura stibium xalkogenidlərdən Sb
2
Te
3
 aiddir. Burada da kristal quruluş laylardan təşkil 
olunmaqla ABC...ABC şəklində sıx kubik formalı təkrarlanan düzülüşə malikdir 

12 

. 
A
2
V
B
3
VI
  tərkibli  stibium  xalkogenidlərin  qeyd  etdiyimiz  kristal  və  yarımkristallik  formalı 
nazik  təbəqələrində  optiki  qadağan  olunmuş  zonanın  eni  əsasən  1,06-1,88  eV  həddindədir  və  bu 

---