Elmi ƏSƏRLƏR, 2017, №3 (84) nakhchivan state university. Scientific works, 2017, №3 (84)

152 
kolbada  SbCl
3
-ün 1 qramı limon turşusunun natrium duzunun 37 ml 1 M-lıq məhlulunda həll edilir, 
sonra kolbaya 20 ml amyak (naşatır spirti) və 24 ml 0,4 M-lıq Na
2
S
2
O
3
 məhlulu əlavə edilir.  Sonra 
müvafiq  olaraq  100  ml  tamamlanana  kimi  distillə  edilmiş  su  əlavə  edilir.  Substrat  vannaya  yer-
ləşdirilir və şaquli dayaqla kolbanın divarına bərkidilir. Stibium sulfid 1 saatdan 4 saata kimi çök-
dürülür.  Stibium  sulfidin  portağalı-sarı  rəngli  çöküntüsü  şüşə  örtüklə  örtülür.  Stibium  selenidin 
çökməsi  prosesini  isə  otaq  temperaturunda  2  saatdan    5  saata  kimi  aparmışlar.  Çökmə  bitdikdən 
sonra  alınan  bütün  nazik  təbəqələr  vannadan  çıxarılmış  və  distillə  edilmiş  suda  yuyularaq  quru-
dulmuşdur.  Alınan  bərk  məhlullar  termiki  emal  edilmiş  və  fiziki-kimyəvi  parametrləri  müəyyən 
edilmişdir.  Stibium  sulfid  və  selenid  çöküntüsünün  müxtəlif  vaxtlarda  əldə  edilmiş  təbəqələrinin 
qalınlığı  müəyyənləşdirilimşdir.  Sb
2
Se
3
  nümunələri  Sb
2
S
3
  nümunələrindən  əsas  doyma  dərəcəli 
qatılıq əldə edir. Sb
2
Se
3
-ün sintezində ammonyakın miqdarı prosesin sürətini nizamlayır. Şəkil 1-də 
sintez edilmiş Sb
2
S
3
 və Sb
2
Se
3
 nazik təbəqələrinin termiki emaldan  əvvəl və sonra optik ötürülmə 
spektirini  təsvir  edir.  Sb
2
S
3
  nazik  təbəqələri  daha  yüksək  ötürməni  göstərir.  Termiki  emal 
nümunələri ötürmə əyri xəttində əyri xəttin daha uzun dalğa uzunluğu tərəfinə doğru optiki qadağan 
olunmuş  zolaqda  azalmanı  göstərən  önəmli  dəyişiklik  yaradıb.  Sintez  edilən  stibium  xalkogenid-
lərin  optiki  absorbsiya  əmsalları  T%  və  R%  qiymətlərində  müəyyənləşdirilmişdir.  Alınmış  Sb
2
S
3
 
nümunəsi nanokristallik nümunəsindəki kvant keçiriciliyi (1,78 eV) termiki emal edilən nümunənin 
qadağan olunmuş zolağının qalınlığından (2,43 eV) yüksək olduğu müəyyən edilmişdir 

10

. Eyni 
hal  Sb
2
Se
3
  nümunəsi  üçün  də  müşahidə  olunur.  Sb
2
Se
3
-ün  1,21  eV-luq  qadağan  olunmuş  zonaya 
malik  termiki  emal  nümunəsindən  fərqli  olaraq  böyümüş  Sb
2
Se
3
  nazik  təbəqələri  1,71  eV-luq 
qadağan  olunmuş  zonaya  malikdir  və  burada  1,11  eV  ilə  uyğunluq  qeydə  alınır.  Sintez  edilmiş 
Sb
2
S
3
  və  Sb
2
Se
3
  təbəqələri  10
7
  om•sm-lik  yüksək  elektrik  müqaviməti  göstərir.  Sb
2
Se
3
  nazik 
təbəqələri  böyüdükcə  Sb
2
S
3
-ün  nazik  təbəqələrindən  daha  foto  həsas  olur.  Termiki  emal  edilən 
nümunələr isə çox kiçik genişlənmə ehtimalına görə daha fotohəsas olur.  
       
 
Şəkil 1. Sb
2
S
3
 və Sb
2
Se
3
  nümunələri üçün termiki emaldan əvvəl və sonra optiki ötrülmə 
spektrləri  
Stibium  xalkogenidlər  optoelektronik  xüsusiyyətlərinə  görə  tədqiqat  cəmiyyətində  texnoloji 
maraq kəsb edir. Bu baxımdan stibium xalkogenidlər müxtəlif tətbiq etmələrdə fərqli optoelektronik 
xüsusiyyətlərə malik daha mürəkkəb komponentlərin tərkibinə də daxil edilir 

6

.  

---

153 
Qeyd etdiyimiz  bu  və  ya digər  sintez metodları  ilə  yanaşı  müasir dövrümüzdə  geniş  ehtiyac 
duyulan  və  daha  səmərəli  sintez  metodu  olan  elektrokimyəvi  sintez  metodudur.  Bu  sintez  metodu 
vasitəsilə  bir  sıra  keyfiyyətli  nazik  təbəqələr  əldə  edilmişdir.  Elektrokimyəvi  çökdürmə  metodu 
qalvanotexnikada  metal  və  onların  ərintiləri    şəklində  örtüklərin  çəkilməsi  və  metal  üzlüklərin 
hazırlanması  (qalvanoplastika)  sayəsində  geniş  yayılmışdır.  Bu  prosesləri  ilk  dəfə  XIX  əsrin 
ortalarında rus alimi B. Yakobi həyata keçirmişdir. Yarımkeçirici nazik təbəqələrin elektrokimyəvi 
yolla sintezi metodunun qanunauyğunluqlarının formalaşması intensiv olaraq 1970-ci illərin 1980-
ci  illərin  əvvəlində  tədqiq  olunmuşdur.  Bu  yarımkeçirici  təbiətli  nazik  təbəqələrin  istifadəsinə 
əsaslanan günəş energetikasının inkişafı ilə əlaqədardır olub, eləcə də mikro və optoelektronikada 
yarımkeçirici xalkogenidlərin praktiki tətbiqi ilə bağlıdır. Stibium xalkogenid təbəqələrinin alınması 
üçün  əvvəllərdə  qeyd  etdiyimiz  kimi  müxtəlif  metodlardan  istifadə  edilmişdir:  molekulyar-şüa 
epitaksiyası, “isti divar” texnalogiyası, impuls-lazer buxarlanma, ampula və s.  
Son  onilliklərdə  yarımkeçirici  xalkogenid nazik  təbəqələrinin  elektrokimyəvi sintez  texnolo-
giyasının  formalaşdırılmasına  və  inkişaf  etdirilməsinə  maraq  xeyli  dərəcədə  artmışdır.  Elektro-
kimyəvi  çökmə  metodu  nisbətən  sadə  sərfəlidir.  Bu  metodda  əsasən  qiymətli  avadanlıqlardan  (o 
cümlədən  vakuum  qurğularından)  istifadə  edilir.  Bundan  başqa  bu  metod  ekaloji  cəhətdən  də  çox 
sərfəli  olub  yüksək  dərəcədə  seçicilik  xüsusiyyətinə  malikdir.    Bu  da  elektrod  altlıqların  üzərinə 
mürəkkəb və böyük ölçülü formada təbəqələrin çökdürülməsinə imkan verir. Elektrokimyəvi yolla 
çökdürmə metodu potensiostatik və potesiodinamik istiqamətlərdə yarımkeçiricilərin nazik təbəqəli 
kristal və yarımkristal strukturlarını almağa imkan verir 

8

.  
 
ƏDƏBİYYAT 
1.
 
Aliyev  A.Sh., Salakhova E.A., Suleymanov A.S., Babayeva M.A., Gasanov Ch.A. Photovoltaic 
cell  on  the  semiconductor    heterosystems  –  //  Inter.congres  of  Energy  Ecologi    Istanbul-  Baku  
1991, p.1. 
2.
 
Алиев  А.Ш.,  Бабаева  М.А.  Создание  высокоэффективных  фотоанодов  для  фотоэлектро-
лиза  воды//  Современные  проблемы  неорганической  и  физической  химии.  Конференция 
посвящ. 70-летию Х.Мамедова, Баку. 1998, с.184. 
3.
 
Алиев    А.Ш.  Фотоэлектрохимическое  поведение  полупроводниковой  гетеросистемы  n-
GaAs/WO
3
. //Азерб. хим.журн. 1999, № 4, с.43-45 
4.
 
H.R.Qurbanov, İ.B.Bəxtiyarlı, R.M.Abbasov  SnSb
2
Te
4
-SnBi
2
Te
4
 Sistemində Faza Tarazlığının  
Tədqiqi. Kimya problemləri jurnalı 2007 №3 
5.
 
K.Y Rajpure,  C.H Bhosale Preparation and characterization of spray deposited photoactive Sb
2
S
3
 
and  Sb
2
Se
3
  thin  films  using  aqueous  and  non-aqueous  media,  Materials  Chemistry  and  Physics 
Volume 73, Issue 1, 2 January 2002, Pages 6–12 
6.
 
 B.Krishnan,  G. A. Castillo, T.K.D. Roy,  S.Shaji   Antimony based chalcogenide thin films for 
photovoltaic applications.  Chapter . December 2012. Compounds and Applications, Edition: 1, 
Chapter: 6, Publisher: Nova Science Publishers, Editors: Manijeh Razeghi, pp.125-142 
7.
 
Y.  Rodríguez-Lazcano,  L.  Guerrero,  O.Gomez  Daza,  M.  T.  S.  Nair,    P.  K.  Nair    Antimony 
chalcogenide  thin  films:  chemical  bath  deposition  and  formation  of  new  materials  by  post 
deposition thermal processing Department of Solar Energy Materials, Centro de Investigación en 
Energía, UNAM, Temixco, Morelos 62580, MEXICO Superficies y Vacío 9, 100-103, 1999 
8.
 
Е.А.  Стрельцов  Электрохимическое  Осаждение  Тонких  Пленок  И  Наноструктур    Полу-
проводниковых Халькогенидов Металлов  Вестник БГУ. Сер. 2. 2011 №3 
9.
 
L.D.Ivanova, L.I.Petrova, Yu.V.Granatkina The Bismuth and Antimony Chalcogenides Solid 
Solutions Single Crystals with Gradient Carrier Concentration  Baikov Institute of Metallurgy and 
Materials Science, Russian Academy of Sciences, Leninskii pr.49, Moscow 
10.
 
M. T. S. Nair, Y. Peña, J. Campos, V. M. García and P. K. Nair, J. Electrochem. Soc., 145, 2113 
(1998). 
11.
 
T.M.İlyaslı, F.M. Sadıqov, M.R. Allazov, E.H. Əliyev   Yarımkeçiricilər Kimyası. Bakı 
Adiloğlu nəşriyyatı, 2004, 354 s.  
12.
 
Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. “Высшая школа”, М., 1972, 302 с 

---