102
elektronların yürüklüyü azalır,
uyğun olaraq kristalın elektrik
müqaviməti isə kəskin artır.
Cərəyan azaldığından volt‐amper
xarakteristikasında mənfi diferen‐
sial müqavimətli düşən hissə mü‐
şahidə edilir (şəkil 4.8). Tətbiq edi‐
lən gərginliyin sonrakı artmasında
cərəyanın təqribən mütənasib artması baş verir.
Yarımkeçirici material qeyri‐bircins olduğundan, onun
müxtəlif hissələrində müqavimət də fərqlənir. Müqaviməti
kiçik olan hissədə sahə zəif, böyük olan hissədə isə güclüdür.
Sahənin güclü olduğu hissədə yaranmış qeyri‐bircins yüklər
toplusu domen adlandırılır (şəkil 4.9). Adətən domen katod
(mənfi elektrod) yaxınlığın‐
da əmələ gəlir və böyük
sürətlə anoda (müsbət elek‐
troda) doğru hərəkət edir.
Ətraf hissəyə nisbətən do‐
mendə elektronların sürəti
zəif olur və ona görə də
həmin hissədə həcmi yüklərin sıxlığı artır, başqa sözlə desək,
domen özünəməxsus qruplaşmadır. Qruplaşmada yüklərin
sıxlığı artdığından sahə güclü, ətraf hissədə isə nisbətən zəif
olur. Domendən anod tərəfdə elektronlar domendən uzaq‐
laşır, katod tərəfdə isə əksinə, domenə doğru sürətlə yeni
elektronlar gəlir. Ona görə də domendə katod tərəfdəki
hissədə elektronların konsentrasiyası böyük, anod tərəfdəki
hissədə isə, kiçik olur. Tətbiq olunmuş sahənin təsiri altında
domenin katoddan anoda doğru hərəkəti baş verir.
Ы
У
0
Şəkil 4.8. Qann diodunun volt
‐amper xarakteristikası.
Şəkil 4.9. Qann diodunda domen.
Е
–
–
+
+
υ
dom
103
Domen anoda çataraq tədricən yox olur və o yox olduğu
anda katod önündə tədricən yeni domen yaranaraq anoda
doğru hərəkət etməyə başlayır. Proses periodik olaraq tək‐
rarlanır. Hər bir domenin yox olması və yenisinin yaranması
Qann diodunda müqavimətin periodik dəyişməsi ilə mü‐
şayiət olunur. Bunun nəticəsində dioddan axan cərəyanda
rəqslər əmələ gəlir və domenin kiçik yerdəyişməsində (katod‐
dan anoda qədər) tezliyin qiyməti İYT diapazonuna uyğun
gəlir. Bu rəqslərin tezliyi
L
f
dom
υ
=
(4.4)
Burada
dom
υ
– domenin sürəti olub, arsenid‐qallium üçün
təqribən 10
7
sm/san tərtibindədir; L – isə yarımkeçirici kris‐
talın uzunluğudur və Qann diodu üçün adətən mikrometrin
hissələri qədər olur.
Buradan alınır ki, məsələn, L =10 mkm olduqda, rəqsin
tezliyi f = 10
7
/10
‐3
= 10
10
Hs = 10 QHs‐ə bərabər olur.
Qann diodlarının başlıca xüsusiyyətləri ondan ibarətdir ki,
iş zamanı digər diodlardakından fərqli olan təkcə onların
kiçik n‐p‐keçidli hissələri deyil, iki cərəyan kontaktı arasında
bütöv yarımkeçirici kristal işləyir. Ona görə də Qann diodla‐
rında böyük güc (böyük güclü impulslar) almaq mümkün‐
dür. Müasir diodlarda rəqslərin kəsilməz rejimində yaranan
güc onlarla vata, impuls rejimində kilovata, FİƏ isə vahiddən
onlarla faizə qədər dəyişir. Nəzəri hesablamalara görə fərz
edilir ki, 10 QHs tezliklərdə impuls rejimində 100 kVt
gücündə işləyə bilən Qann diodları yaratmaq mümkündür.
104
§4.4. Optoelektronika
Müasir elektronikanın ən vədedici sahələrindən biri
optoelektronikadır. Bir çox hallarda fotoelektronikanın yaran‐
ması tarixini 1800‐cü ildən – Qerşelin infraqırmızı şüaları kəşf
etməsindən hesablayırlar. Əgər məsələyə belə yanaşsaq, yəni
optoelektronikanı işıq şüalarının kəşfi ilə bağlasaq, onda daha
da qədimə getmək mümkündür. Məsələ burasındadır ki,
Bibliyada
göstərilir ki, Allah Adam və Həvvanı Dünyanı
yaratdıqdan 6 gün sonra yaratdığı halda, işığı elə birinci gün
yaradıb. O, işığı görəndə sevinclə işıq çox gözəldir deyib və onu
zülmətdən ayırıb.
Əslində isə, bərk cisim optoelektronikası işığın fotoelektrik
qəbuledicilərinin kəşfi ilə başlayıb. Düzdür, Qersel öz tədqi‐
qatlarında şüa qeyd edicilərindən istifadə edib, lakin bu qeyd‐
edicilər optik siqnalı elektrik siqnalına çevirən fotoelektrik
cihazları deyil, termocütlər olub.
Optoelektronikanın yaranmasının bir‐birindən yarım əsr
fərqlənən iki tarixi var. Biri, 1821‐ci ildə Zeyebekin termo‐
elektrik hadisəsini müşahidə etməsi, daha doğrusu istilik
qəbuledicisinin (termocütün) hazırlaması ilə bağlıdır. Lakin,
həmin qəbuledicilərin həssaslığı çox kiçik idi. Bu qüsuru
aradan qaldırmaq üçün əvvəlcə Nobili tərəfindən bir neçə
termocütü ardıcıl birləşdirmək və 1830‐cu ildə isə daha effek‐
tiv materiallardan (vismut sürmədən) istifadə etmək təklifi
olunur. 1834‐cü ildə Melloni belə termocütlərdən istilik şüa‐
lanmasını qeyd etmək üçün istifadə etmişdir.
Digər istilik qəbuledicisi – bolometr isə 1857‐ci ildə Şvan‐
berq tərəfindən hazırlanıb və bir qəbuledici kimi ilk dəfə
Lanqel tərəfindən 1881‐ci ildə tətbiq edilib. Görünür məhz
105
buna görə də, əksər hallarda bolometrin yaranmasını sonun‐
cunun adı ilə bağlayırlar. Daha 15 ildən sonra isə Markoni və
Popov elektromaqnit şüalanmasının məsafədən qəbulu üçün
belə qeydedicilərdən istifadə etdilər. Lakin bu halda şüalanma
optik deyil, radiotezliklər diapazonuna təsadüf edirdi. Həmin
vaxtlar bu qeydedicilər geniş tətbiq tapa bilmədi. Çünki hələ
infraqırmızı texnikanın və optoelektronikanın dövrü gəlib
çatmamışdı. Buna baxmayaraq yuxarıda adı gedən alimlərin
optoelektronika sahəsindəki xidmətlərini qiymətləndirməmək
olmaz.
1873‐cü ildə ingilis texniki Smit selen yarımkeçiricisinin
elektrik xassələrini tədqiq edərkən ilk dəfə daxili fotoeffekt
hadisəsini (fotokeçiriciliyi) kəşf etdi və bununla da, ilk kvant
fotoqəbuledicisi yarandı. Qeyd etmək lazımdır ki, xarici
fotoeffekt hadisəsi A.Q.Stoletov tərəfindən bundan 15 il sonra
(1888‐ci ildə) kəşf edilmişdir. Məlumdur ki, hal‐hazırda
optoelektronikada kvant fotoqəbulediciləri hegomonluq edir.
Elə buna görə də bəzi müəlliflər Smiti optoelektronikanın (hər
halda kvant optoelektronikasının) banisi adlandırırlar. Məhz
bu deyilənlərə istinad edərək bərk cisim optoelektronikasının
yaranmasının iki tarixi olduğunu deyirlər. Bunlardan birincisi
1821‐ci ildə istilik, ikincisi isə 1873‐cü ildə kvant şüalanma
qəbuledicilərinin yaradılmasına aiddir.
Optoelektronikanın bütövlükdə inkişafı tarixini isə iki
mərhələyə bölmək olar. Birinci mərhələ – yuxarıda adı gedən
kəşflərdən XIX əsrin başlanğıcından XX əsrin ortalarına
qədərki dövrü əhatə edir. Bu mərhələdə hələ elm və texnika
fotoqəbuledicilərdən geniş istifadə etməyə hazır deyildi.
XIX əsrin fizikasında cisimlərin şüalanma qanunlarının
tədqiqi ön sırada dayanırdı. Belə təcrübi tədqiqatlarda həm