Ə.Ş. Abdinov, R. F. Mehdiyev, T. X. HÜseynov



Yüklə 0,99 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə26/40
tarix05.02.2018
ölçüsü0,99 Mb.
#25168
1   ...   22   23   24   25   26   27   28   29   ...   40

 

102 

elektronların  yürüklüyü  azalır, 

uyğun  olaraq  kristalın  elektrik 

müqaviməti  isə  kəskin  artır. 

Cərəyan  azaldığından  volt‐amper 

xarakteristikasında  mənfi  diferen‐

sial müqavimətli düşən hissə mü‐

şahidə edilir (şəkil 4.8). Tətbiq edi‐

lən gərginliyin sonrakı artmasında 

cərəyanın təqribən mütənasib artması baş verir. 

Yarımkeçirici  material  qeyri‐bircins  olduğundan,  onun 

müxtəlif  hissələrində  müqavimət  də  fərqlənir.  Müqaviməti 

kiçik olan hissədə sahə zəif, böyük olan hissədə isə güclüdür. 

Sahənin  güclü  olduğu  hissədə  yaranmış  qeyri‐bircins  yüklər 

toplusu  domen  adlandırılır  (şəkil  4.9).  Adətən  domen  katod 

(mənfi  elektrod)  yaxınlığın‐

da  əmələ  gəlir  və  böyük 

sürətlə anoda (müsbət elek‐

troda)  doğru  hərəkət  edir. 

Ətraf  hissəyə  nisbətən  do‐

mendə  elektronların  sürəti 

zəif  olur  və  ona  görə  də 

həmin hissədə həcmi yüklərin sıxlığı artır, başqa sözlə desək, 

domen  özünəməxsus  qruplaşmadır.  Qruplaşmada  yüklərin 

sıxlığı  artdığından  sahə  güclü,  ətraf  hissədə  isə  nisbətən  zəif 

olur.  Domendən  anod  tərəfdə  elektronlar  domendən  uzaq‐

laşır,  katod  tərəfdə  isə  əksinə,  domenə  doğru  sürətlə  yeni 

elektronlar  gəlir.  Ona  görə  də  domendə  katod  tərəfdəki 

hissədə  elektronların  konsentrasiyası  böyük,  anod  tərəfdəki 

hissədə  isə,  kiçik  olur.  Tətbiq  olunmuş  sahənin  təsiri  altında 

domenin katoddan anoda doğru hərəkəti baş verir. 

Ы 

У 



0

Şəkil 4.8. Qann diodunun volt

‐amper xarakteristikası.

 

Şəkil 4.9. Qann diodunda domen. 

Е 

 – 



 – 

+



υ

dom


 

103 

Domen  anoda  çataraq  tədricən  yox  olur  və  o  yox  olduğu 

anda  katod  önündə  tədricən  yeni  domen  yaranaraq  anoda 

doğru  hərəkət  etməyə  başlayır.  Proses  periodik  olaraq  tək‐

rarlanır. Hər bir domenin yox olması və yenisinin yaranması 

Qann  diodunda  müqavimətin  periodik  dəyişməsi  ilə  mü‐

şayiət  olunur.  Bunun  nəticəsində  dioddan  axan  cərəyanda 

rəqslər əmələ gəlir və domenin kiçik yerdəyişməsində (katod‐

dan  anoda  qədər)  tezliyin  qiyməti  İYT  diapazonuna  uyğun 

gəlir. Bu rəqslərin tezliyi 

 

L

f



dom

υ

=



                                           (4.4) 

 

Burada 



dom

υ

  –  domenin  sürəti  olub,  arsenid‐qallium  üçün 



təqribən  10

7

  sm/san  tərtibindədir;  L   –  isə  yarımkeçirici  kris‐



talın uzunluğudur və Qann diodu üçün adətən mikrometrin 

hissələri qədər olur. 

Buradan  alınır  ki,  məsələn,  L =10  mkm  olduqda,  rəqsin 

tezliyi  f = 10

7

/10


‐3

 = 10


10

 Hs = 10 QHs‐ə bərabər olur. 

Qann diodlarının başlıca xüsusiyyətləri ondan ibarətdir ki, 

iş  zamanı  digər  diodlardakından  fərqli  olan  təkcə  onların 

kiçik n‐p‐keçidli hissələri deyil, iki cərəyan kontaktı arasında 

bütöv yarımkeçirici kristal işləyir. Ona görə də Qann diodla‐

rında  böyük  güc  (böyük  güclü  impulslar)  almaq  mümkün‐

dür.  Müasir  diodlarda  rəqslərin  kəsilməz  rejimində  yaranan 

güc onlarla vata, impuls rejimində kilovata, FİƏ isə vahiddən 

onlarla  faizə  qədər  dəyişir.  Nəzəri  hesablamalara  görə  fərz 

edilir  ki,  10  QHs  tezliklərdə  impuls  rejimində  100  kVt 

gücündə işləyə bilən Qann diodları yaratmaq mümkündür. 

 



 

104 

§4.4. Optoelektronika 

 

Müasir  elektronikanın  ən  vədedici  sahələrindən  biri 

optoelektronikadır. Bir çox hallarda fotoelektronikanın yaran‐

ması tarixini 1800‐cü ildən – Qerşelin infraqırmızı şüaları kəşf 

etməsindən hesablayırlar. Əgər məsələyə belə yanaşsaq, yəni 

optoelektronikanı işıq şüalarının kəşfi ilə bağlasaq, onda daha 

da  qədimə  getmək  mümkündür.  Məsələ  burasındadır  ki, 

Bibliyada

  göstərilir  ki,  Allah  Adam  və  Həvvanı  Dünyanı 

yaratdıqdan 6 gün sonra yaratdığı halda, işığı elə birinci gün 

yaradıb. O, işığı görəndə sevinclə işıq çox gözəldir deyib və onu 

zülmətdən ayırıb. 

Əslində isə, bərk cisim optoelektronikası işığın fotoelektrik 

qəbuledicilərinin  kəşfi  ilə  başlayıb.  Düzdür,  Qersel  öz  tədqi‐

qatlarında şüa qeyd edicilərindən istifadə edib, lakin bu qeyd‐

edicilər  optik  siqnalı  elektrik  siqnalına  çevirən  fotoelektrik 

cihazları deyil, termocütlər olub. 

Optoelektronikanın  yaranmasının  bir‐birindən  yarım  əsr 

fərqlənən  iki  tarixi  var.  Biri,  1821‐ci  ildə  Zeyebekin  termo‐

elektrik  hadisəsini  müşahidə  etməsi,  daha  doğrusu  istilik 

qəbuledicisinin  (termocütün)  hazırlaması  ilə  bağlıdır.  Lakin, 

həmin  qəbuledicilərin  həssaslığı  çox  kiçik  idi.  Bu  qüsuru 

aradan  qaldırmaq  üçün  əvvəlcə  Nobili  tərəfindən  bir  neçə 

termocütü ardıcıl birləşdirmək və 1830‐cu ildə isə daha effek‐

tiv  materiallardan  (vismut  sürmədən)  istifadə  etmək  təklifi 

olunur.  1834‐cü  ildə  Melloni  belə  termocütlərdən  istilik  şüa‐

lanmasını qeyd etmək üçün istifadə etmişdir. 

Digər  istilik  qəbuledicisi  –  bolometr  isə  1857‐ci  ildə  Şvan‐

berq  tərəfindən  hazırlanıb  və  bir  qəbuledici  kimi  ilk  dəfə 

Lanqel  tərəfindən  1881‐ci  ildə  tətbiq  edilib.  Görünür  məhz 

 

105 

buna görə də, əksər hallarda bolometrin yaranmasını sonun‐

cunun adı ilə bağlayırlar. Daha 15 ildən sonra isə Markoni və 

Popov elektromaqnit şüalanmasının məsafədən qəbulu üçün 

belə qeydedicilərdən istifadə etdilər. Lakin bu halda şüalanma 

optik deyil, radiotezliklər diapazonuna təsadüf edirdi. Həmin 

vaxtlar bu qeydedicilər geniş tətbiq tapa bilmədi. Çünki hələ 

infraqırmızı  texnikanın  və  optoelektronikanın  dövrü  gəlib 

çatmamışdı.  Buna  baxmayaraq  yuxarıda  adı  gedən  alimlərin 

optoelektronika sahəsindəki xidmətlərini qiymətləndirməmək 

olmaz. 


1873‐cü  ildə  ingilis  texniki  Smit  selen  yarımkeçiricisinin 

elektrik  xassələrini  tədqiq  edərkən  ilk  dəfə  daxili  fotoeffekt 

hadisəsini (fotokeçiriciliyi) kəşf etdi və bununla da, ilk kvant 

fotoqəbuledicisi  yarandı.  Qeyd  etmək  lazımdır  ki,  xarici 

fotoeffekt hadisəsi A.Q.Stoletov tərəfindən bundan 15 il sonra 

(1888‐ci  ildə)  kəşf  edilmişdir.  Məlumdur  ki,  hal‐hazırda 

optoelektronikada kvant fotoqəbulediciləri hegomonluq edir. 

Elə buna görə də bəzi müəlliflər Smiti optoelektronikanın (hər 

halda  kvant  optoelektronikasının)  banisi  adlandırırlar.  Məhz 

bu deyilənlərə istinad edərək bərk cisim optoelektronikasının 

yaranmasının iki tarixi olduğunu deyirlər. Bunlardan birincisi 

1821‐ci  ildə  istilik,  ikincisi  isə  1873‐cü  ildə  kvant  şüalanma 

qəbuledicilərinin yaradılmasına aiddir. 

Optoelektronikanın  bütövlükdə  inkişafı  tarixini  isə  iki 

mərhələyə bölmək olar. Birinci mərhələ – yuxarıda adı gedən 

kəşflərdən  XIX  əsrin  başlanğıcından  XX  əsrin  ortalarına 

qədərki dövrü əhatə edir. Bu mərhələdə hələ elm və texnika 

fotoqəbuledicilərdən geniş istifadə etməyə hazır deyildi. 

XIX  əsrin  fizikasında  cisimlərin  şüalanma  qanunlarının 

tədqiqi  ön  sırada  dayanırdı.  Belə  təcrübi  tədqiqatlarda  həm 




Yüklə 0,99 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   22   23   24   25   26   27   28   29   ...   40




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə