Ə.Ş. Abdinov, R. F. Mehdiyev, T. X. HÜseynov



Yüklə 0,99 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə29/40
tarix05.02.2018
ölçüsü0,99 Mb.
#25168
1   ...   25   26   27   28   29   30   31   32   ...   40

 

114 

metrlik və millimetrlik radiodalğalar əvəzində görünən işığın 

mikronluq dalğalarından istifadə olunması, ötürülən informa‐

siyanın  tutumunun  qeyri‐məhdud  artırılmasına  imkan  ya‐

ratdı.  Lakin  bu  şüalar  yer  atmosferi  tərəfindən  güclü  udul‐

duğundan  optik  dalğalarla  informasiyanın  uzaq  məsafələrə 

ötürülməsi məhdudlanırdı. 

1966‐cı ildə iki yapon alimi – Kao və Xokema işıq siqnalını 

ötürmək üçün endoskopiyada və başqa sahələrdə artıq geniş 

tətbiq  tapmış  uzun  şüşə  liflərdən  istifadə  olunmasını  təklif 

etdilər. 

İlk olaraq 1970‐ci ildə Korninq Qlass firması işıq siqnallarını 

böyük  məsafələrə  ötürmək  üçün  yarayan  şüşə  işıqötürənlər 

hazırladı.  70‐ci  illərin  ortalarında  isə  ifrattəmiz  kvars  şüşə‐

sindən işığın intensivliyini 6 km məsafədə maksimum iki dəfə 

azaldan işıqötürənlər hazırlandı. 

Qeyd  etmək  lazımdır  ki,  indi  artıq  bir  sıra  inkişaf  etmiş 

ölkələrdə  (ilk  növbədə  ABŞ‐da)  telefon  rabitələrinin  əksəriy‐

yəti işıqötürənlərlə əvəz olunub. 

Optronlar. 

Müxtəlif  növ  yarımkeçirici  işıqqəbuledicilərin 

(fotorezistor,  fotodiod,  fototranzistor,  fototiristor)  iş  prinsipi 

daxili fotoeffekt hadisəsinə əsaslanır. Daxili fotoeffekt zamanı 

şüanın təsiri altında yarımkeçiricidə sərbəst yükdaşıyıcıların – 

elektron  və  deşik  cütünün  generasiyası  baş  verir.  Tarazlıq 

halındakılara  əlavə  olunan  bu  yükdaşıyıcılar  (əlavə  yükda‐

şıyıcılar)  monokristalın  elektrik  keçiriciliyini  bir  qədər  də 

artırır.  Bu  cür  əlavə  keçiricilik  fotonların  təsiri  ilə  yaranır  və 

fotokeçiricilik  adlanır.  Metallarda  fotokeçiricilik  hadisəsi 

praktiki olaraq yoxdur. Belə ki, keçirici elektronların konsen‐

trasiyası  böyükdür (təqribən  10

22

 sm


‐3

)  və  işığın  təsiri  altında 

dəyişmir. Bəzi cihazlarda elektronların və deşiklərin fotogene‐

 

115 

rasiyası  hesabına  e.h.q.  (foto‐e.h.q.)  yaranır.  Ona  görə  də 

həmin  cihazlar  cərəyan  mənbələri  kimi  də  işləyir.  Elek‐

tronların  və  deşiklərin  rekombinasiyası  nəticəsində  yarım‐

keçiricidə  fotonlar  əmələ  gəlir  və  bəzi  şərtlər  daxilində 

yarımkeçirici  cihaz  işıq  mənbəyinə  çevrilir.  Müasir  dövrdə 

optron  adlanan  yarımkeçirici  cihazdan  da  istifadə  edilir. 

Optron  eyni  zamanda  həm  işıq  mənbəyi,  həm  də  işıq 

qəbuledicisi kimi işləyə bilir. Bu cihaz bir‐biri ilə əlaqəli olan 

işıq  mənbəyi  və  qəbuledicisindən  ibarətdir.  Optoelektron 

cihazları  əvvəllər  ancaq  radioelektron  cihazları  (REC)  üçün 

hazırlanırdısa,  hal‐hazırda  artıq  inteqral  mikrosxemlərin 

tərkibinə də daxil edilir. 



İşıqdiodu.

  Yarımkeçirici  işıq  mənbələrindən  ən  çox  tətbiq 

ediləni, düzünə istiqamətdəki gərginliyin təsiri altında işləyən 

(işıq  diodları)  –  işıq  şüalandıran  diodlardır.  Bəzən  onları  in‐

jeksiya  diodları  da  adlandırırlar.  İşıq  diodlarında  baş  verən 

işıqlanma  injeksiya  elektrolüminessensiyası  hadisəsinə  əsas‐

lanır. 

Yarımkeçirici  diodun  işıqsaçmasını  ötən  əsrin  20‐ci 



illərində  Rusiyanın  Nijeqorod  şəhərindəki  radiolaboratori‐

yada işləyən O.V.Losev kristal detektorda elektrik rəqslərinin 

generasiyasını  yaratmaq  üzərində  təcrübə  apararkən 

müşahidə  etmişdi.  Bu  hadisə  müəyyən  vaxt  unudulmuş, 

lakin 1950‐ci ildən yenidən tətbiq olunmağa başlamışdır. Hal‐

hazırda  sənayedə,  işıq  diodlarının  onlarla  növləri,  eləsə  də 

məlum  işıq  diodlarının  müxtəlif  kombinasiyalarından  ibarət 

mürəkkəb indikator cihazları istehsal olunur. 

İşıq  diodlarının  iş  prinsipi  ilə  tanış  olaq.  Yarımkeçirici 

dioda  düzünə  istiqamətdə  xarici  gərginlik  tətbiq  etdikdə 

emitterdən  baza  oblastına  yükdaşıyıcıların  injeksiyası  baş 



 

116 

verir.  Məsələn,  əgər  n‐oblastında  elektronların  konsentra‐

siyası  p‐oblastında  onların  konsentrasiyasından  böyükdürsə 

(

p



n

n

n >



),  onda  elektronların  n‐oblastdan  p‐oblasta  injek‐

siyası baş verir. İnjeksiya olunmuş elektronlar baza oblastının 

əsas yükdaşıyıcısı olan deşiklərlə rekombinasiya edir. Rekom‐

binasiya  etmiş  elektronlar  keçirici  zonanın  yüksək  enerji 

səviyyələrindən  valent  zonanın  tavanı  yaxınlığındakı  lokal 

enerji  səviyyələrinə  rekombinasiya  mərkəzlərinə  keçir  (şəkil 

4.10).  Bu  zaman,  enerjisi 

keçirici  zonanın  dibi  ilə  r‐

mərkəzinin  enerjisinin  fər‐

qinə, yəni 

W

hc

h



Δ

λ



=

ν

.     (4.5) 



bərabər  olan  foton  bura‐

xılır.  (4.5)  ifadəsinə  daxil 

olan sabitlərin qiymətlərini 

yerinə  yazsaq,  (mikro‐

metrlərlə)  verilmiş  bu  və  ya  digər  dalğa  uzunluqlu  (

λ

)  şü‐



alanmanın baş verməsi üçün lazım olan enerji zolağının (

W

Δ



elektronvoltlarla enini alarıq: 

λ



Δ



23

,

1



W

.                                     (4.6) 

Bu  ifadədən  görünür  ki,  (0,38 ÷ 0,78)  mkm  görünən  şüalan‐

manın baş verməsi üçün 

3

6

,



1

W

÷



Δ

 eV şərtini ödəməlidir. 



Germanium və silisiumda qadağan olunmuş zonanın eni çox 

kiçik  olduğuna  görə  onlardan  görünən  oblast  üçün  işıq 

diodlarının  hazırlanmasında  istifadə  etmək  mümkün  deyil. 

r



Keçirici zona

h

ν 



ΔW 

Qadağan 


olunmuş 

zona


 

Valent zona



Şəkil 4.10. Rekombinasiya şüalanması

 

117 

Müasir  işıq  diodlarında  əsasən  qallium‐fosfiddən  (GaP),  sili‐

sium‐karbid  (SiC)  qallium‐alüminium‐arsen  (GaAlAs)  və  ya 

qallium‐arsen‐fosfor  (GaAsP)  bərk  məhlulundan,  eləcə  də 

dicər üçqat birləşmələrdən ibarət sistemlərdən istifadə edilir. 

Yarımkeçiriciyə aşqar daxil etməklə müxtəlif rəngli işıqlanma 

almaq mümkündür. 

Sənayedə  görünən  oblastda  işıqlanma  verən  işıq  diodla‐

rından əlavə, qallium‐arseniddən hazırlanan, infraqırmızı işıq 

şüalandıran  işıq  diodları  da  buraxılır.  Bu  diodlar  fotorele, 

fotoqeydedici və optoron sistemlərində geniş istifadə edilir. 

Şüalarından  birinin  spektral  xarakteristikasının  maksimu‐

mu  qırmızı  sərhəddə,  digərininki  isə  yaşıl  sərhəddə  olan  iki 

şüalı  keçidə  malik  dəyişən  rəngli  işıq  verən  işıq  diodları  da 

mövcuddur.  Belə  diodlarda  da  işıq  şüasının  rəngi  keçidlər‐

dəki  cərəyanların  nisbətindən  asılıdır.  Heterokeçidli  işıq  di‐

odları bu qəbildəndir. 

İşıq diodlarının əsas parametrləri aşağıdakılardır: 

1.  Kandela 







=

sr

m



1

kd

1



l

  vahidləri  ilə  ölçülən  və  düzünə 

istiqamətdəki cərəyanın müəyyən qiymətində təyin edilən işıq 

şiddəti

. Adətən işıq diodlarında işıq şiddəti 0,1 ÷ 0,001 kandela 

arasında  olur.  Xatırladaq  ki,  kandela  –  xüsusi  standart  mən‐

bədən buraxılan işıq şiddəti vahididir. 

2.  İşıq  şiddətinin  işıqlanan  səthin  sahəsinə  nisbətini 

xarakterizə edən parlaqlıq

3. Sabit düzünə gərginlik (2‐3 V). 

4.  Maksimal  işıq  selinə  uyğun  olan  işığın  rəngi  və  dalğa 



uzunluğu

5. Ehtimal olunan maksimal sabit düz cərəyan. Adətən mak‐



simal düz cərəyan onlarla milliamper tərtibində olur. 


Yüklə 0,99 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   25   26   27   28   29   30   31   32   ...   40




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə