Абшерон игтисади ъоьрафи районун шящярляринин

Magistrantların XV Respublika Elmi konfransı, 14-15 may  2015-ci il 
 
 
 
21 
bucaq  əmələ  gətirir.  Eyni  zamanda 
)
2
(
)
2
(
O
N

 əlaqə  uzunluğu 

A
39
,
1
28
,
1

 olub  bu  tip  radikallara 
uyğun gəlir. Hansı ki, bu tip radikallarda                 məsafəsi 

A
31
,
1
26
,
1

 intervalındadır.  CNC bucağı 
isə  122
0
-dir.  Bu  tip  radikallarda 
0
125
121

intervalındadır.  Piperidin  həlqəsində 
C
C

 əlaqə  məsafəsi 

A
61
,
1
, bucaq isə 
0
108
-dir. Naftalin həlqəsində 
C
C

 əlaqə məsafəsi 

A
45
,
1
, bucaq isə 
0
19
,
1
-dir. 
 
TlIn
1-x
 Sm
x
 S
2
 BƏRK MƏHLULLARININ VOLTAMPER 
XARAKTERĠSTĠKALARI 
 
Qocayeva T.C.  
Sumqayıt Dövlət Universiteti 
 
   
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
TlIn
1-x
Sm
x
S
2
  bərk  məhlulları  TlInS
2
  –  TlSmS
2
  sistemində  qarşılıqlı  təsirdə  formalaşır.  [1-3] 
işlərində göstərildiyi kimi bu sistemdə TlInS
2  
üçqat birləşməsi əsasında  
0,11 mol% TlSmS
2
 intervalında bərk məhlullar ilkin TlInS
2
 birləşməsi kimi tetraqonal sinqoniyada 
kristallaşırlar. Elektrofiziki xassələrin tədqiqi göstərdi ki, müşahidə olunan bərk məhlullar xarakterik p- 
tip  yarımkeçiricilər  olub,  çox  maraqlı  tətbiq  perspektivlərinə  malikdirlər.  Bu  materiallarda  yaddaşlı 
çeviricilik xassələrinin aşkarı xüsusi əhəmiyyət kəsb edir. Belə ki, yarımkeçirici halkogenidlərdə çevirmə 
effekti  kəşf  edildikdən  sonra  onların  əsasında  çevik  cihaz  və  qurğuların  yaradılması  istiqamətində  çox 
intensiv  tədqiqat  işləri  aparılmışdır.  Bu  işlərdə  əsasən  çevirmə  effektlərinin  meydana  çıxma 
mexanizmləri, yeni analoji xassəli maddələrin axtarışı, məlum materialların xassələr diapazonunun daha 
da genişləndirilməsi istiqamətində çoxsaylı tədqiqat işləri həyata keçirilmişdir.    
 
 
Maraqlı  iş  prinsipi  və  çevirmə  effekti  mənfi  diferensial  müqavimətli  (MDM)  cihazla  işləyən 
yarımkeçirici cihaz və qurğulardan istifadə mürəkkəb sxemlərin əsaslı surətdə sadələşməsinə imkan verir. 
Bu  da  son  nəticədə  həmin  cihaz  və  qurğuların  etibarlılığının,  istismar  müddətinin,  xarıcı  təsirlərə 
davamlılıqlarının xeyli artmasına səbəbdir. Belə qurğularda əks rabitə kənar dövrələrin köməyi ilə deyil, 
onlarda  mövcud  olan  daxili  müsbət  əks  rabitənin  köməyi  iıə  yaradılır  və  nəticədə  cihazların  material 
tutumu, ölçuləri, çəkiləri azalır, enerjiyə qənaət edilməsinə imkan verir. MDM –li yarımkeçirici cihazlar 
elamantar  bərk  funksional  sxemlər  olmaqla  gücləndiricilərin,  generatorların,  çeviricilərin  və  digər 
qurğuların  funksiyalarını  müvəffəqiyyətlə  yerinə  yetirirlər.  Bunun  üçün  onları  yükləyərək  cərəyan 
mənbəyinə  qoşmaq  kifayətdir.  Bir  yarımkeçirici  təbəqədə  mənfi  diferensial  müqavimətli  bir  neçə  cihaz 
yaradıb, onlar arasında həcmi əlaqənin təmin etməklə, mürəkkəb funksional sxemlərin həllinə nail olmaq 
olar.  MDM-li  çeviricilər  voltamper  xarakteristikalarının  simmetrikliliyi,  siqnalın  qütbündən  asılı 
olmayaraq çevirmənin mümkünlüyü, yaddaş effektinin mövcudluğu, yəni dövrə açıldıqdan sonra istənilən 
iki mümkün halda qeyri-məhdud müddətdə qala bilməsi kimi maraqlı və üstün xüsusiyyətlərə malikdirlər. 
Hazırda çevirmə mexanizminin vahid nəzəriyyəsi mövcud deyil. VAX-ın rəngarəngliyi çevirməyə 
səbəb  olan  mexanizmlərin  müxtəlif  olmasının  nəticəsidir.  S-ə  bənzər  VAX-nı  çevirmə  zamanı  cərəyan 
qaytanlarının  əmələ gəməsi ilə əlaqələndirirlər. Elementə tətbiq olunan gərginlik artdıqca keçirici halda 
cərəyan  qaytanının  diametri  artır,  cərəyan  artdiqca  qyrğunun  effektiv  müqaviməti  kiçilir,  kiçik 
siqnallarda, aşağı tezlik oblastında ölçülən keçirici halın dinamik müqaviməti qurğunun həndəsi ölçü və 
formasından asılı olaraq mənfi, sıfır və müsbət ola bilər, bu isə özünü induktiv xassə kimi biruze verir; 
cərəyan  qaytanında  istiliyin  qeyri-simmetrik  səpilməsi  şərtlərində  qaytanın  temperatur  qradiyenti 
istiqamətində  sürüşməsi  baş  verir;  qaytan  materialın  hər  hansı  bir  qeyri-bircins  hissəsində  gərginlik 
düşgüsünün uyğun fluktuasiyası hesabına qüvvətli sahə effekti nəticəsində və ya elektrodlar arası mühitin 
lokal  qızması  ilə  yarana  bilər.  Tərkibdən,  təbəqənin  bircinsliyindən,  onun  alınma  texnologiyasından, 
termik  işlənməsindən  asılı  olaraq  zona  qurruluşu  kəskin  dəyişikliyə  uğraya  bilər,  bunun  nəticəsində 
çeviricilik prosesində müxtəlif elektron mexanizmlərin formalaşması mümkün ola bilər. 
Bərk cisimlərdə VAX-nın tədqiqi onlarda elektrik keçiriciliyinin kəskin  dəyişməsinin səbəbini izah 
etməyə və aşkar edilmiş effektin tədbiq olunma imkanlarının araşdırılmasına  imkan verir. N-tip VAX-lar 
gərginliklə  idarə  edilib,  cərəryana  görə  birqiymətli  olmur;    S-tip  VAX-ları  isə  cərəyanla  idarə  edilib, 
gərginliyə  görə  birqiyməli olmur.  S-tip  VAX-lara  malik  cihazların  ən  əsas  üstünlüklərindən  biri onların 
induktiv xarakterli ekvivalent reaktivliyə malik olmalarıdır. Ona görə də rezonans sisteminin yaradılması 
N 
0 

---