Azərbaycan miLLİ elmlər akademiyasi naxçivan böLMƏSİ

4

doğurur.  Belə  ki.  CusFeS.*  birləşməsindəki  Fe  atomunu  NTE 

atomlarının  biri  ilə  əvəz  etdikdə  A[5BIHCV14  tip  silsilə 

birləşmələr almaq  olur,  burada  A -  Си;  В -  NTE (Gd-dan  Li- 

ə  qədər),  C-S,  Se,  Те  və  bunlar  da  yarımkeçirici  xassələrinə 

malik olurlar.

CuGdTe

2

,  Cu

3

GdTe

3

, Cıi5GdTe4,  birləşmələrini sintez 

etmək  üçün  stexiometrik  tərkibə  uyğun  olaraq  elementlərin 

miqdarları  hesablanmışdır  (1,3).  Sonra  hər  üç  element  Cu, 

Gd, Те stexiometrik  tərkibə  uyğun  çəkilib,  təmizlənmiş  və  10 

3mm.c.st-a 

qədər 

havasızlaşdırılmış 

kvars 

ampulalara 

doldurulub,  ağzı  qapanmışdır.  Sintez  prosesi  birzonalı  peçdə 

800-1100°C  temperatur iııtervalında  aparılmışdır.  Nümunələr 

1100°C-də 

üç  saat 

müddətində  saxlanıldıqdan  sonra 

temperatur  800°C-ə  endirilmiş  və  həmin  temperaturda  150 

saat  termik  emal  edilmişdir.  Sintez  olunmuş  nümunələr 

məsaməli  kütlə  şəklində  alınmışdır.  Fiziki  xassələri  tədqiq 

etmək  məqsədi  ilə  alınmış  birləşmələr  200  atırı,  təzyiqə  qədər 

preslənmiş  və  parallelepiped  şəklinə  salınmışdır.  Presləıımiş 

nümunələr  homogenləşdirilmək 

məqsədi  ilə  yenidən  600- 

800°C-də  üç  gün  müddətində  saxlanılmışdır.  Bircinsləş- 

dirilmiş  nümunələr  üzərində  fiziki  xassələr  öyrənilmişdir. 

Elektrik  keçiriciliyinin  və  termo  e.h.q.-nin  temperaturdan 

asılılığının 

ölçülməsi 

tədqiq 

olunmuş 

hər 

üç 

mis 

tellurolantanatların  p-tip  yarımkeçirici)ik  xassəsinə  malik 

olduğunu göstərmişdir (4,6).

CuGdTe

2

,  СизСМТез,  CusGdTe.*  birləşmələrinin  1- 

6,5ev  intervalmda  kristallik  qəfəsin  «C»  oxu  boyunca  (Cu), 

ona  perpendikulyar  və  45°  (C

45

0)  olan  istiqamətlərdə 

əksolunma 

spektrləri 

öyrənilmiş, 

nəticələr 

şəkil 

1-də 

göstərilmişdir.

617

---

20

Şəkil  1. 

I  -  CuGclTe2, 

II  -  Cu3GdTe3, 

III  -  Cu5GdTe4

birləşmələrinin əksolunma spektrləri

Əksolunma 

əmsalından 

(R) 

və 

düşən 

şüanın 

enerjisindən  (E)  asılı  olaraq,  kristallarda  1,2-1,45  eV 

intervalında  bütün  istiqamətlərdə  daha  intensiv  piklər 

müşahidə  olunur. 

Bu  piklər  0,2-1,8  eV  intervalında 

zonalararası  keçidlərdə  tədqiq  olunan  birləşmələr  üçün 

gözlənilən  nəticələrlə  üst-üstə  düşür.  Bu  piklərdən  başqa, 

CuGdTe2  kristalında  Си,  Cı  istiqamətində  1,9;  3,7;  4,6;  5,2; 

6,2  eV,  Cu3GdTe3  kristalında  1,95;  2,1  5,38  eV,  Cu

5

GdTe4 

kristalında  3,45;  3,85;  5,65  eV  nöqtələrində  uyğun  olaraq 

nisbətən  zəif piklər  müşahidə  olunur.  Bundan  başqa  dN/dE 

funksiyalarının  yerləşməsi  e2  (E)  və  R  (E)  enerji  spektrində 

uyğun  olur.  Əksolunma  əyrilərinin  eksperimental  nəticələri 

E>Eg  (Eg-  qadağan  olunmuş  zona)  oblastında  dN/dE 

funksiyasının 

nəzəri 

qiymətlərini 

yerinə 

qoymaqla 

zonalararası  məsafəni  və  zonaların  təbiətini  təyin  etmək  olur. 

R  (E)  üzrə  alınmış  qiymətlərin  anilizi  göstərir  ki,  CuGdTe2, 

Cu3GdTe3, Cu

5

GdTe4 birləşmələrində müşahidə olunmuş  1,2- 

1,45  eV  intervalmdakı  piklər,  istiqamətlərdən  asılı  olmayaraq 

Brillyüen  zonasında  kritik  nöqtələrin  keçidi  ilə  əlaqədardır 

(7,8).  Başqa  piklərin  izahatı  bu  istiqamətdə  yeni  tədqiqatlar 

aparılmasını tələb edir.

618

---

N ə t i c  ə:

İşdə  CuGdTe

2

,  Cu

3

CdTe

3

,  CusGdTe

4

  birləşmələrinin 

sintezi  və  kristallik  qəfəsin  «C»  oxu  boyunca  (Cn),  ona 

perpendikulyar  və  45° 

(C450) 

olan  istiqamətlərdə  əksolunma 

spektrləri  öyrənilmişdir.  Zəif  piklərlə  yanaşı,  1,2-1,45  eV 

intervalındakı  qiymətlərdə  daha  intensiv  piklər  müşahidə 

edilmişdir  ki,  bu,  Brillyüen  zonasının  kritik  nöqtələrinin 

keçidləri ilə bağlıdır.

Ə d ə b i y y a t :

1.  T.X.Qurbanov,  P.H.Rüstəmov,  O.M.Əliyev,  L.T.Abdullayeva, 

A.B.Eynullayev,  İ.P.Əliyev.  NTE-nin  üçlü  halkogenidlərinin 

alınması  və  tədqiqi.  SSRİ  EA-nın  xəbərləri.  Неорганические 

материалы,  1980, с. 16, №4, s.611-615.

2.  Cəfərov  M.А.  Неорганические  материалы,  1999,  №5,  s. 1307- 

1312.

3.  P.H.Rüstəmov,  B.N.Mardaxaev.  Az.SSR  EA-mn  məruzələri. 

20,13(1964).

4.  R.S.Həmidov,  L.Q.Keyseruxskaya.  Неорганические  материалы, 

1972. c.8,№ l,s.l00.

5.  Y.M.Əliyev,  R.S.Həmidov,  H.H.Hüseynov,  M.A.Əlicanov. 

Неорганические материалы  1972. с.8, №2, s.370-371.

6.  J.P.Maud,  M.Guittard.  Bull. See. Chim. France, 5, 2293 (1968).

7.  V.V.Sobolev. Неорганические материалы,  №1,55-60,  1966.

8.  J.S.Phillips., Phys.  Rev.,  133, A 452,  1964.

M Ə M M Ə D  H Ü S E Y N Ə L İ Y E  V  

AMEA Naxçıvan Bölməsi

T ə b ii E h tiy a tla r  İ n s titu tu

HORİZONTAL BRİCMEN ÜSULU İLƏ ALINMIŞ 

CuInS2 

MONOKRİSTALININ 

OPTİK XASSƏLƏRİ

A,B

iii

C

2

vi

  seriyadan 

olan  yarımkeçirici  birləşmələr 

arasında  CUI

11

S

2

  (X-S,Se,Te)  tipli  materiallar  fotovoltaik 

tətbiq  nöqteyi-nəzərdən  elektrik  və  optik  xassələrinin  son

619

---