Ə.Ş. Abdinov, R. F. Mehdiyev, T. X. HÜseynov
Yüklə 0,99 Mb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- §3.4. Mikroelektronikanın inkişaf mərhələləri
- Şəkil 3.8.
- Şəkil 3.9.
74 üsulu 2003‐cü ilə qədər sənayedə liderlik edərək, İBİS‐in ölçü‐ sünü 150 nm‐ə çatdırmaq imkanı əldə edildi.
İnteqral sxemlərdə elementlərin sıxlığı o dərəcədə artdı ki, artıq onlara bütöv bir sistem, yəni mikroelektron qurğu kimi baxmağa başladılar. Funksiyalar artdıqca, inteqral mikro‐ sxemlər daha da mürəkkəb quruluşa malik olur. Çünki onlarda inteqrasiya dərəcəsi yüksəlir. İnteqral mikrosxemlərin inkişafını inteqrasiya dərəcəsinə görə aşağıdakı mərhələlərə bölmək olar: 1) 1960‐1969‐cu illər. Bu mərhələdə üzərində 102 tranzistor yerləşən kiçik inteqrasiya dərəcəli inteqral sxemlər (KİS) istehsal olunurdu; 2) 1969‐1975‐ci illər. Bu mərhələdə üzərində 103 tranzistor yerləşən orta inteqrasiya dərəcəli inteqral sxemlər (OİS) istehsal olunurdu; 3) 1975‐1980‐cı illər. Bu mərhələdə üzərində 104 tranzistor yerləşən böyük inteqrasiya dərəcəli inteqral sxemlər (BİS) istehsal olunurdu; 4) 1980‐1985‐ci illər. Bu mərhələdə üzərində 105 tranzistor yerləşən ifrat böyük inteqrasiya dərəcəli inteqral sxemlər (İBS) istehsal olunurdu; 5) 1985‐ci ildən sonra. Bu mərhələdə üzərində 107 tran‐ zistor yerləşən ultra böyük inteqrasiya dərəcəli sxemlər (UBİS) istehsal olunur. Göründüyü kimi, KİS‐dən UBİS‐ə qədər keçid üçün dörd‐ də bir əsr vaxt keçmişdir. İnteqral mikrosxemlərin inkişaf prosesini təsvir edən əsas parametrlərdən biri, sxemin üzərin‐
də n sayda elementlərin ildən‐ilə dəyişməsidir. Bu say inteq‐ rasiya dərəcəsini xarakterizə edir. Mur qanununa görə hər üç ildən bir inteqral sxemdə olan elementlərin sayı 4 dəfə artır. İntel və Motorolla firmasının yüksək sıxlıqlı loqik kristalları – mikroprosessorları bu baxımdan geniş yayılmışdır. 1981‐1982‐ci illərdə UBİS inteqral mikrosxemlərin inkişafı və istehsalı litoqrafiya texnologiyası (elektron‐şüa, rentgen və eksimer lazer əsasında uzaq ultrabənövşəyi şüalarla litoqra‐ fiya) hesabına stimullaşdırıldı. 1983‐cü ildə Mur Beynəlxalq konfransda qeyd etmişdir ki, mikroelektronikanın inkişaf və istehsal sürətini ABŞ‐da olduğu kimi Asiya ölkələrində də bazar münasibətləri müəyyən edir. Murun bu fikri özünü həyatda doğrultdu. 1985‐1987‐ci illərdə ABŞ sənayesinin 80%‐ ni Yaponiya mikrosxemləri təmin edirdi. Çünki Yaponiya bu uğuru mikrosxemlərin texnologiyasında qazandığı yeniliklər hesabına əldə edərək, mikrosxemləri aşağı qiymətlərlə satırdı.
müxtəlif növ, xüsusən rəqəm və hərf indikatorlarından geniş istifadə edilir. Həmin indikatorların müəyyən qismi səyriyən boşalma, digəri isə elektrovakuum cihazlarına aiddir. Bundan başqa, yarımkeçirici materiallar əsasında işləyən indikatorlar da mövcuddur. Onların haqqında əvvəlki paraqraflarda məlumat vermişik. Gərginlik indikatoru kimi neon lampaları geniş tətbiq edi‐ lir. Neon lampalı gərginlik indikatoru səyriyən boşalma cihazı olub, anomal katod düşküsü rejimində işləyir. İndikator 76 göstərilən rejimdə işləyərkən dövrəyə mütləq məhdudlaş‐ dırıcı müqavimət (R məh
) qoşulmalıdır. Əks təqdirdə dövrədə yaranan qısamüddətli böyük cərəyan lampanı sıradan çıxarar. Lampanın volt‐amper xa‐ rakteristikası 3.8‐ci şəkildə verilmişdir. Şəkildən gö‐ ründüyü kimi boşalma ya‐ ranan (A nöqtəsi) anodda cərəyan və gərginlik sıçra‐ yışla dəyişir, işıqlanma baş verir. Gərginliyin artımı cə‐ rəyanı bir qədər də artırır. Bu halda katodun səthində cərəyan sıxlığı və parlaqlıq artır. Boşalma kəsilən anda cərəyan sıçrayışla sıfıra dü‐ şür və gərginlik sıçrayışla artır. Təcrübi olaraq k U ‐nın minimum qiyməti lampada işıqlanmanın zəif və cərəyan şiddətinin isə ən kiçik qiymətində, başqa sözlə desək, boşalmanın sönmə anından bir qədər əvvəlki an üçün təyin edilir (şəkil 3.8). Bütün qazboşalma cihazları, xüsusən də stabilitronlar k a U U −
fərqi ilə xarakterizə olunur. Neon lampalarında boşalmadan əvvəl qaz ionlaşdığından a U anod gərginliyinin qiyməti k U gərginliyinin qiymətindən 10V‐a qədər kiçik olur. Neon lampaları sabit və dəyişən gərginliklərin indikator‐ ları kimi tətbiq edilir. Dəyişən gərginlik halında gərginliyin ani qiyməti
verir. Sənayedə müxtəlif növ neon lampaları istehsal olunur. 0
i
Şəkil 3.8. İdarəolunan indicator lampa‐ sının volt‐amper xarakteristikası
Onlarda alışma gərginliyi 50‐200V və daha böyük, işçi cərəyanın qiyməti isə mA tərtibindədir. İdarəolunan üçelektrodlu indikator lampaları böyük maraq kəsb edir. İdarəolunan üçelektrodlu indikator lampası anod‐ dan və lampa daxilində yerləşdirilən iki: indikator və köməkçi katoddan ibarətdir. Lampanın daxi‐ lində işıqlanma ancaq indikator ka‐ todunun önündə görünür. İndikator katod (İK) R müqavimət vasitəsi ilə köməkçi katod (KK) isə birbaşa mənbənin mənfi qütbünə birləşdi‐ rilir (şəkil 3.9). Lampaya gərginlik ancaq anod dövrəsindən verildikdə köməkçi katod işləyir və boşalma baş vermir. Əgər işıqlanan indikato‐ run katod dövrəsinə bir‐neçə volt əlavə gərginlik idar U
katod arasındakı gərginlik artar, boşalma bu katoda keçər və lampa görünən oblastda işıq şüalandırar. Əgər əlavə gərginlik aradan götürülərsə, onda yenə də anod və köməkçi katod arasında boşalma yaranar. İndikator katodundakı gərginlik isə sıfıra düşər. İşarəli səyriyən boşalma indikatorları geniş yayılmışdır. Onların prinsipial quruluşu 3.10‐cu şəkildə verilmişdir. İçərisində neon qazı olan silindrin daxilində müxtəlif rəngli şüalar buraxa bilən nazik tellər yerləşdirilir (şəkil 3. 10, a). Sadəlik xatirinə şəkil 3.10 a‐da 1 və 2 rəqəmlərindən ibarət olan lampa göstərilmişdir. Lampada 0‐dan 9‐a qədər 10 ədəd katod yerləşdirilir. Adətən anod metal tordan hazırlanır. Anodla hər hansı bir katod arasına gərginlik verildikdə həmin
E −
a E +
R IK
kator lampasının elektrik dövrəsinə qoşulması sxemi
Yüklə 0,99 Mb. Dostları ilə paylaş:
|