Məmmədov Mahil İsa oğlu
Yüklə 0,74 Mb. Pdf görüntüsü
|
59 gərginliklə dolması və boşalması lazımdır. Amma yaddaş nəzarət dövrəsinin (memory controller) köməyi ilə yaddaş xanasında yük boşalmadan təkrar doldurula bilir. Bu quruluşlarına görə dinamik yaddaş adlandırılır.
Şəkil 4.1. solda kondansator quruluşu və sağda bir bit yaddaş xanası
RAM-ın hər bir xanası bir tranzistor və kondensatordan ibarət 2 ğlçülü (sətir və sütunlardan ibarət olan) matris quruluşa malikdir. Xanalar doldurularkən (yazılarkən) sütunlar üzrə deyil, sətrlər üzrə doldurulur.
parametr adlarını verək. Precharge: Oxuma və yazma öncəsi yaddaş xanalarının doldurma edilməsi üçün istifadə edilən bir termindir. CAS (Column Address Strobe) Latency (Sütun Ünvanlama
Takt Gecikməsi): SDRAM üzərində istənilən bir sütunun ünvanlanması üçün sərf olunan taktlar (clock cycle) saydır. Gecikməni ifadə edir. CL2 (CAS2) ifadəsi, 2 takt, CL3 (CAS3), 3 takt mənasına gəlir. Gecikmə nə qədər az isə yaddaş o qədər sürətlidir. Bu kəmiyyət yaddaş xanasının tərkibini oxumaq ügün lazım olan prosessor taktlarının miqdarını göstərir. RAS (To Follow Address Strobe) Latency (Sətir Ünvanlama Takt Gecikməsi): CAS kimi SDRAM üzərində istənilən bir sətrin fəal olması üçün lazım olan takt saydır. Az olması yaddaşın sürətli olduğunu göstərir. RAS to CAS: RAS və CAS əməliyyatları arasındakı gözləmə taktının miqdarını göstərir. İnformasiya toplama çıxışı ilə bağlıdır. Yaddaş xanasını ünvanlaşdıran zaman "sətrin seçilməsi" ilə "sütunun seçilməsi" siqnalları arasındakı gecikməni göstərir. RAS Precharge: Xanadakı verilənlərin yeniləndirilməsi ügün lazlm olan dövrlərin sayıdır. Activ to Precharge: Aktiv və precharge vəziyyətləri arasında ümumi keçən müddətdir və maksimum dəyəri aşağıdakı bərabərliklə hesablanır.
Active to Precharge = CAS + Rast o CAS + RAS Precharge SPD ((Serial Presence Detect): RAM üzərində olan və içərisində RAM-la bağlı zaman və tezlik parametrlərini tutan EEPROM yaddaş quruluşdur. Məqsəd kompüter açıldıqda BIOS-a RAM-ı tanıtmaqdır. Bank: Yaddaş soket və ya modullarından ibarət virtual bir sahədir. Bir yaddaş 2 və ya daha çox banka malik ola bilər. Günümüzdə yaddaşlar daha çox 4 banka malikdir. Yaddaşda bir məlumata çatmaq üçün bank, sətir və sütun ünvanlarının bilinməsi lazımdır. Burada məqsəd eyni zamanlı olaraq bir bankda işlənərkən işlənərkən digər bank eyni anda yelilənə bilməsidir (doldurma). Bu prosses dolayısıyla lent genişliyini və performansı artırır. Bursting: Yaddaşa ardıcıl informasiya yazılması və ya downloaded from KitabYurdu.org
61 yaddaşdan ardıcıl informasiya oxunması zamanı hər bir yaddaş xanasının oxunması və yazılması üçün razılıq verilməsini gözləmədən müəyyən uzunluqlu (burst length) verilənlərin transferini reallaşdırmağı təmin edir. Günümüzdə DDR SDRAM (double-data-rate synchronous dynamic random access memory), DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM və SDRAM yaddaş qurğularından istifadə edilir. Anakart-ın dəstəyinə görə RAM-lar seçilməlidir. SRAM (STATIC RAM)-SRAM Texnologiyası tranzistor istifadə edən, çox sürətli işləyən, lakin bir qədər də bahalı olan texnologiyadır. SRAM Texnologiyası asinxron, sinxron və pipe- line burst adları altında üç bölməyə ayrılır. Asinxron SRAM sistem saat tezliyindən asılı olmadan işləyən və L2 keş yaddaşı olaraq istifadə edilən köhnə bir SRAM texnologiyasıdır. Sinxron SRAM sistem saatı ilə uyğun olaraq işləyən, daha sürətli və daha bahalı bir SRAM texnologiyasıdır. Pipe-line Burst SRAM hazırda geniş istifadə edilən, bir dəfəyə ana yaddaşa daha sürətli məlumat göndərə bilən bir SRAM texnologiyasıdır. DRAM (DYNAMIC RAM) -DRAM (Dinamik İxtiyari Müraciətli Yaddaş) kompüterlərdə ana yaddaş olaraq istifadə edilən bir yaddaş modelidir. Dəyişən və inkişaf edən RAM Texnologiyası sayəsində hər il yeni DRAM çeşidləri istehsal olunur. DRAM Texnologiyasında kondensator və tranzistor birlikdə istifadə edilmişdir. Məlumatlar kondensatorda saxla- narkən, açarlama işləri üçün tranzistor istifadə edilir. DRAM daxilində mövcud olan kondensatorlar, üzərində məlumatın saxlanması üçün saniyədə minlərcə dəfə dolub boşalır. Dinamik RAM adını bu xüsusiyyətlərinə görə almışlar. DRAMların SRAM-dan aşağı sürətlə işləmələrinin ən böyük səbəbi də budur. SDRAM (Synchronous Dynamic RAM- Sinxronlaşdırılan Dinamik İxtiyari Müraciətli Yaddaş): 64 bit informasiya genişliyinə malikdir. 100 MHz sistem sürəti ilə sinxron olaraq işləyə bilən, ilk dəfə Pentium II seriyalı mikroprosessorlarda istifadə edilmişdir. Asinxron interfeysdə mikroprosessor yadda- şından məlumat almaq üçün gözləmək məcburiyyətindəndi. Bu səbəbdən də müraciət zamanı 50-60 nsan.-dir. Sinxron nəzarət
sayəsində məlumat mübadiləsi sistem saatına əsasən aparılaraq mikroprosessorun lazımsız gözləmə vaxtı ortadan qaldırılmış və məlumata daha sürətli müraciət təmin edilmişdir. Anakartın informasiya şini, sürət və texnologiyanın inkişafı ilə PC100 və PC133 standartlarında hazırlanmışdır. DDR SDRAM: 64 bit informasiya genişliyinə sahibdir. DDR-SDRAM SDRAM-a nisbətən ən azı iki dəfə artıq sürətlə işlədiyi üçün artıq SDRAM-ın yerini tutmağa başlamışdır. DDR- SDRAMlar PC1600, PC1200, PC2400, PC2700 və PC3200 olaraq müxtəlif seriyalarda istehsal edilmişdir.
DDR1 əməli yaddaşın üç növ sürət adlandırılması vardır: Saat sürəti, DDR sürət adlandırılması və PC sürət adlandırılması. Saat sürəti x 2 = DDR sürət adlandırılması DDR sürət adlandırılması x 8 = PC sürət adlandırılması. Cədvəldə DDR SDRAM parametrləri verilib
DDR sürət Şin tezliyi
PC sürət
Buraxma qabiliyy ti
DDR–200
100 MHz
PC–1600
1.600 GB/s
DDR–266
133 MHz
PC–2100
2.133 GB/s
DDR–333
166 MHz
PC–2700
2.667 GB/s
DDR–400
200 MHz
PC–3200
3.200 GB/s
DDR SDRAM ilə eyni quruluşda olub, eyni sürətində çalışırlar. Aralarındakı fərq latency (istenen ünvana çatmaq üçün xərclənən zaman) dəyərinin DDR da daha böyük olması və daha çox güc tələbidir. Həmçinin burada yaddaşın, I/O BUS tezliyi downloaded from KitabYurdu.org
Yüklə 0,74 Mb. Dostları ilə paylaş:
|