Mühazirələr konspekti dosent Fərid Ağayev " Elektronika və avtomatika" kafedrası Bakı -2022

§ Tranzistor sxemlərinin təhlili.
Tranzistor sxemlərini təhlil etmək üşün aşağıdakı sxemdən istifadə olunur:

Tranzistor sxemini təhlil edərkən giriş dövrəsinin sabit qiymətində çıxış dövrəsi, çıxış dövrəsinin sabit qiymətində isə giriş dövrəsi təhlil edilir.
Giriş dövrəsi üçün yaza bilərik:

Fərz edək ki, tranzistor bağlıdır. Onda olar. Bu halda isə olar.






( ) olarsa onda

olar.

Burada -nı nəzərə almasaq sonuncu ifadəyə bərabər olar.
b nöqtəsinin -dan fərqli olaraq qədər sürüşməsi sızıntı cərəyanının olması ilə əlaqədardır.
Real halda və nöqtələrində işləmək olardı, yəni

Lakin doymuş rejimdə belə bu hissələrə çatılmır.
Praktiki sxemlərdə işləyən zaman tranzistorun doğru seçmək üçün

şərtlərini nəzərə almaq lazımdır.


§ Tranzistorun h-parametrləri.
Tranzistor sxemlərinin təhlilində geniş istifadə olunan metodlardan biri də dördqütblülər metodudur. Bu metoda görə giriş və çıxış siqnalların parametrləri bir-birilə aşağıdakı tənliklərlə bağlıdır:
(1)
(2)

1. 
   və parametrlərini müəyyən etmək üçün dördqütblünün çıxış gərginliyinin qiyməti sıfır qəbul edilir və bu çıxışa görə qısa qapanma rejimi adlanır.
   

olarsa, onda

2. 
   və parametrlərini müəyyən etmək üçün qəbul edilir və bu girişə görə qısaqapanma rejimi adlanır.
   

olarsa, onda



§ Unipolyar (sahə) tranzistorlar.
Bipolyar tranzistorlardan fərqli olaraq unipolyar tranzistorlarda cərəyanın yaranmasında yalnız bir növ yükdaşıyıcılar – ya elektronlar (n-kanallı) ya da deşiklər (p-kanallı) iştirak edirlər. Unipolyar tranzistor bipolyar tranzistordan fərqli olaraq elektrik sahəsi ilə idarə edildiyindən o texniki ədəbiyyatda həm də sahə tranzistoru adlandırılır.
FET – field effect transistor
Sahə tranzistorları idarə olunan p-n keçidli tranzistorlara və idarəedici elektrodu izolyasiya edilmiş tranzistorlara ( MOY-MOS FET , MDY-MİS FET ) bölünürlər.
İdarə olunan p-n keçidli tranzistorun iş prinsipini n-kanallı tranzistorun üzərində nəzərdən keçirək. n-kanallı sahə tranzistorunun sturuktur sxemi aşağıdakı şəkildədir:

n-kanallı sahə tranzistorunun sxemlərdə şərti işarəsi isə aşağıdakı kimidir:

Tranzistor aşağıdakı kimi işləyir:
İdarəedici elektrodda 0V gərginlik olduqda, mənbə-mənsəb arasındakı gərginlik isə olduqda kanaldan cərəyan axır .
Tranzistoru bağlamaq üçün idarəedici elektrod dövrəsinə verilən gərginliyin işarəsini dəyişmək yəni mənfi gərginlik vermək lazımdır. olduqda cərəyan axmayacaqdır.
p-kanallı sahə tranzistorunun sxemlərdə şərti işarəsi aşağıdakı kimidir:

Tranzistorun əsas xarakteristikası drain (mənsəb) xarakteristikasıdır.




İdarə olunan p-n keçidli tranzistorda bağlanma gərginliyinin qiyməti birbaşa xarakteristika adlanır:

p-n keçidli sahə tranzistorunun əsas parametrləri aşağıdakılardır:

1. 
   Drain (mənsəb)
   

2. 
   Kanalın daxili müqaviməti
   

3. 
   M – güclənmə əmsalı
   

Bu tranzistorun çatışmayan cəhəti idarəedici elektrodun birbaşa yarımkeçirici ilə kontaktda, təmasda olmasıdır. Bu problemi həll etmək üçün idarəedici elektrodla yarımkeçirici arasına izolyasiya qatı yerləşdirilir.
Bipolyar tranzistora uyğun olaraq unipolyar tranzistorun da dövrəyə 3 cür qoşulması üsulu vardır:

1. 
   Ümumi idarəedici elektrodlu (ÜG) qoşulma – ümumi bazalı qoşulmağa uyğun
   

2. 
   Ümumi mənbəli (ÜS) qoşulma – ümumi emitterli qoşulmağa uyğun
   

3. 
   Ümumi mənsəbli (ÜD) qoşulma – ümumi kollektorlu qoşulmağa uyğun