Mühazirələr konspekti dosent Fərid Ağayev " Elektronika və avtomatika" kafedrası Bakı -2022

§ Güclü sahə tranzistorları ( İGBT )
( insulate gate bipolyar transister)
Sahə tranzistorlarında gücün artırılması kanal cərəyanının artırılması ilə bağlıdır. Əslində idarə olunma prinsipinə görə sahə tranzistorları elektron açarları deməkdir.
Güclü sahə tranzistorunda əsasən indusiya kanallı n-tip tranzistorlardan istifadə olunur və o açar rejimində qoşulur. Kanal müqaviməti


kimi hesablanır.
Cərəyanın qiymətini artırmaq üçün sahə tranzistorunda kanal qısa götürülür. Bu cərəyanın artmasına səbəb olur, lakin böyük cərəyanlar isə kanalın qızmasına səbəb olur və bu da müqavimətin artmasına gətirib çıxarır. Cərəyanın artırılmasının digər yolu bir kanallı deyil çox kanallı tranzistorlar hazırlamaqdır.
Bu tranzistorların gücünü artırmağın bir yolu hibrid tranzistorlar, yəni İGBT yaratmaqdır. Tranzistorun şərti işarəsi və sturuktur sxemi aşağıdakı kimidir:

Bu tranzistorların hazırlanma texnologiyasında silisium yarımkeçiricisi deyil, arsenid – qallium istifadə olunur.
Volt – Amper xarakteristikası isə aşağıdakı kimidir:

§ Tiristorlar.
Tiristor 4 təbəqəli, 3 p-n keçidinə malik elektron cihaz olub, adətən yüksək gərginlik və cərəyan dövrələrində komputasiya elementi kimi istifadə olunur. Tiristorlar 2 qrupa bölünürlər:
1. Diod tiristorları. Bunlara dinistorlar da deyilir.
2. Triod tiristorları.
Triod tiristorları özü də 2 qrupa bölünür:
1. bir əməliyyatlı tiristorlar
2. iki əməliyyatlı tiristorlar
Dinistorun sturuktur sxemi aşağıdakı kimidir:

İşləmə prinsipi aşağıdakı kimidir:
İlk öncə dinistorun Volt – Amper xarakteristikasına baxaq. Dinistora gərginliyi verdikdə artmağa başlayır və 1-ci və 3-cü keçid açılır. Artım davam etdikcə müəyyən bir qiymətdə 2-ci keçid də açılır. Əgər gərginliyin əksinə azaldaraq aşağı salmağa çalışsaq cərəyan kəsilməyəcəkdir.
Alışma nöqtəsindən sonra a nöqtəsindən b nöqtəsinə qədər dinistor mənfi müqavimət rejimində işləyir. Gərginliyin getdikcə artması isə cərəyanın artmasına səbəb olur.
Dinistor açıldıqdan sonra ona tədbiq olunmuş gərginlik onu bağlamır.
Dinistoru bağlamaq üçün ya olmalıdır, ya da ona tədbiq edilən polyarlıq əksinə dəyişilməlidir.
Dinistorun sxemlərdə şərti işarəsi aşağıdakı kimidir:

Dinistorun iş rejimini “yumşaltmaq” üçün hal – hazırda əsasən triod tiristorlarından istifadə olunur. Triod tiristorunun sxemlərdə şərti işarəsi aşağıdakı kimidir:

Sturuktur sxemi isə aşağıdakı kimidir:

Birəməliyyatlı tiristorlarda idarəedici elektroda qısa müddətli ( + ) implus verməklə 2-ci keçidi açmaq mümkündür və beləliklə onun dövrəsindən cərəyan axır.
Birəməliyyatlı tiristorlardan fərqli olaraq ikiəməliyyatlı tiristorlarda alışma idarəedici elektroda verilən qısa müddətli ( + ) implusla həyata keçirilirsə, bağlanma həmin elektroda verilən ( - ) potensiallı implus vasitəsilə yerinə yetirilir.
Tiristorlar güc elektronikası sahəsində istifadə olunurlar. Nəqliyyatda, böyük gücə malik presləyici qurğularda, metaləritmədə geniş yayılmışdır.
İkiəməliyyatlı tiristorların şərti işarəsi aşağıdakı kimidir:

Tiristorları körpü sxeminə uyğun aşağıdakı şəkildə qurmaq olar:

Hal – hazırda istifadə olunan tiristorlar içərisində simmetrik tiristorlar – simistorlar da geniş tədbiq edilir. Simistorun şərti işarəsi aşağıdakı kimidir:

Simistorun Volt – Amper xatakteristikası isə aşağıdakı qrafikdə əks olunmuşdur:

Tiristorun parametrləri isə aşağıdakılardır:
- maksimal buraxılabilən cərəyanın qiyməti;
– maksimal buraxılabilən gərginliyin qiyməti;
- maksimal səpələnmə gücü;
- maksimal işləmə tezliyi;
- tranzistorun işləyə biləcəyi temperatur