Elmi ƏSƏRLƏr fiZİka-riyaziyyat və texniKA

65
 
 
 
Məsələn,    qalınlığı     
sm
4
10
5


 olan  nazik 
2
CuFeS    təbəqəsi  üçün  bu    gərginliyin  qiyməti    
2
12
/
10
2
sm
dn

 - qədərdir. 
Nazik təbəqələrdə belə böyük daxili gərginliyin yaranması bizə nazik yarımkeçirici 
2
CuFeS   
təbəqəsində aşağı temperaturlarda  və təzyiqlərdə Yunq modulunu təyin etməyə imkan verir.  
Məlumdur  ki,  nazik  təbəqələrdə  istidən  genişlənmə  və  ya  izotermik  sıxılma  əmsallarının 
ölçülməsi metodikası, temperaturun və ya təzyiqin dəyişməsi         zamanı bispiralın sərbəst ucunun 
yerdəyişməsinin  kifayət  qədər  böyük      dəqiqliklə  ölçülməsinə  əsaslanır.  Ona  görə  də  dilatometrin 
həssaslığı    temperaturun  bir  dərəcə  dəyişməsinə  uyğun  stolüstü  qalvonometrin    şkalasındakı  
bölgülər sayı ilə təyin edilir ki, bu da  nümunənin uzunluğunun nisbi   dəyişməsini xarakterizə edir. 
Külçə şəkilli ( massiv)  nümunələrin Yunq modulunu təyin etmək                    üçün əsasən 
nümunənin əyilməsi metodundan geniş istifadə edilir. Lakin bu               metod   

 4

 - cü  işdə 
təbəqə  -  altlıq  sisteminin  Yunq  modulunu  təyin  etmək  üçün  tətbiq  edilmişdir.  Bu  işdə  əsasən 
bispiral sisteminin Yunq modulunun effektiv qiyməti  
 
0
E
  aşağıdakı düsturla təyin edilir : 
 
                    




3
2
2
1
1
2
1
2
2
1
2
2
2
2
1
1
0
4
L
L
E
L
E
E
E
L
L
L
L
E
L
E
E





   
 
(2) 
 
Nazik təbəqənin Yunq modulu, altlıq şüşə spiral  götürüldükdə belə təyin edilir : 
 
 
                                
3
3
4
L
b
l
pl
E




             
 
( 3) 
 
Burada,     
p
   -    nümunənin  sərbəst  ucuna  təsir  edən  yük  ; 
l

   –  nisbi  uzanma  ;                                   
l - 
nümunənin uzunluğu ;   b – nümunənin eni ; 
L
 - nümunənin qalınlığıdır.  
 
(3)  düsturundan istifadə  edərək qalınlığ   
sm
4
10
5


 olan  
2
CuFeS   təbəqəsi üçün  300 K – 
də   Yunq modulunun qiyməti 
2
15
/
10
8
1
sm
dn
E
t


, şüşə  üçün isə 
2
16
/
10
8
sm
dn
E
ş


 alınmışdır. 
l

 - in  qiyməti isə    dəqiqliyi 
sm
3
10
5


 olan komparator  vasitəsilə    ölçülmüşdür. Təbəqələr üçün 
Yunq    modulunun  hesablamadan  alınan  qiymətləri  massiv  nümunələrin  Yunq  modulundan           
qiymətcə böyük ola bilər. Bu onunla əlaqədardır ki, təbəqələrdə kifayət qədər daxili gərginlik vardır 
ki, bu da bispiral sisteminin elastikliyinin qiymətinə           təsir edir. 
 
Qeyd  edək  ki,  bispiralın  komponentlərinin  həndəsi  ölçülərini  və  stolüstü  qalvonometrin 
ölçmə həddini dəyişməklə dilatometrin həssaslığını hətta             
9
10
1


- a qədər artırmaq olar. 
 
Dilatometrin    köməkliyi  ilə  bispiral  sisteminin    komponentlərinin  istidən    genişlənmə 
əmsallarının  fərqi,  yəni 


2
1



-  in  qiyməti  məlum  olduqda    daxili  gərginliyi  bilməklə  tədqiq 
olunan nümunənin Yunq  modulunu  temperaturdan  da asılı olaraq aşağıdakı düsturla təyin etmək 
olar . 
                                       


T
E



2
1



                         ( 4 ) 
 
burada, 
1

 -  şüşənin, 
2

 -  isə    tədqiq  olunacaq  maddənin  istidən    genişlənmə  əmsallarıdır. 

- 
təbəqədəki daxili gərginlikdir. 

---

66
 
 
 
Apardığımız  tədqiqatlardan  bizə    məlumdur  ki,  otaq  temperaturunda    şüşənin  istidən 
genişlənmə əmsalı 
1
7
1
.
10
90





der

- dir. Qalınlığı  
sm
4
10
5


 olan  nazik 
2
CuFeS   təbəqəsinin 
istidən genişlənmə əmsalı isə 
1
6
2
.
10
25
,
8





der

- dir. 
K
T
80

 - də isə  
1
6
2
.
10
2
,
2





der

- 
dir. 
K
T
80

- də isə 
1
7
1
.
10
9
,
8





der

- dir. Bu qiymətlərə əsaslanaraq , (4) düsturundan istifadə  
edərək qalınlığı  
sm
4
10
5


  olan  nazik 
2
CuFeS   təbəqəsində  
K
300
  və   
K
80
 temperaturları üçün 
Yunq modulunun qiymətləri hesablanmışdır. Belə ki,
K
300
- də  


2
15
2
/
10
8
sm
dn
CuFeS
E


, 
K
80
-  də  isə 


2
16
2
/
10
8
sm
dn
CuFeS
E


-  olmuşdur  ki,  bu  da  (3)    düsturundan    istifadə  edərkən 
hesablamalardan alınan qiymətlərə uyğun gəlir. 
 
Qeyd  edək  ki,  Yunq  modulunun  hesablanmasında  hərtərəfli  bərabər  sıxılma  zamanı 
bispiralın komponentlərinin ikinci  xarakteristikasını, yəni Puasson əmsalını  
 

  da nəzərə almaq 
lazımdır. Bundan başqa həmçinin bütün istiqamətlərdə deformasiya ilə gərginlik arasındakı əlaqəni 
də  nəzərə  almaq  lazımdır  .  Deformasiyanın  təsiri  o  vaxt  nəzərə  alınmaya  bilər  ki,  bu  deforma-
siyanın  qiyməti  çox  kiçik  olsun  və  bispiralı  təşkil  edən  elementlərin  en  kəsikləri  sahələrinin 
ölçülərinin dəyişməsinə təsir etməsin. 
 
ƏDƏBIYYAT 
 
1.
 
Azərbaycan Sovet Ensiklopediyası, 1987, cild.10, səh.43 
2.
 
Qocayev F., Nuriyev M., Sultanova A., Tağıyev E. 
 Yarımkeçirici  CuFeS
2
  təbəqəsinin  xüsusi  elektrik  müqavimətinin  temperaturdan 
asılılığının tədqiqi. NDU., Elmi əsərlər 2014, N-7(63), səh. 51. 
3.
 
Физика  магнитных пленок. Сб.статей. 1967, вып.1, стр.200. 
4.
 
Физика магнитных пленок. Сб.статей. 1971, вып.1, стр.170. 
 
ABSTRACT 
 
                                                                         Farman Gojayev 
 
 
 
 
 
 
 
 
Aygun Sultanova 
 
 
 
 
 
 
 
 
Elgun Tagıyev 
 
The research of  Jong module in semiconductor layer of   
2
CuFeS . 
Being  semiconductor in  tran saction of   
sm
L
4
10
5



  in layer  of  
2
CuFeS . Jong module 
cast  was  calculated at lav  temperatures. 
For it,  before internal tensions have been identified the thicknees layer of  
sm
4
10
5


 ,  
2
CuFeS   with helpinf  of   staun formula. 
After, the cast of  Jong  module has been calculated  at  
K
300
 and  
K
80
 temperatures with 
helping of  


T
E



2
1
/



 formula. 
 
 
 
РЕЗЮМЕ 
Фарман Годжаев 
 
 
 
 
 
 
                   Аугюн Султанова 
 
 
 
 
 
 
                   Елгюн Тагиев 

---