Elmi ƏSƏRLƏR, 2016, №3 (77) nakhchivan state university. Scientific works, 2016, №3 (77)
Yüklə 1,43 Mb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- ЛИТЕРАТУРА
13
Рис.2 Микрофотограммы кинематической электронограммы от CuGaS 2 .
По изменению интенсивности дифракционных линий растущей кристаллической фазы были построены кинетические кривые и по нему определены кинетические параметры кристаллизации пленок CuIn(Ga)S
напряженностью 1500 в/ см. Для измерений были выбраны дифракционные линии с теми же миллеровскими индексами, как и в случае исследования кинетики кристаллизации пленок, конденсированных в обычных условиях без воздействия электрического поля.
Для сопоставления кинетических кривых кристаллизаций, полученных изотерм с аналитическим выражением для кинетических кривых фазовых
превращений )] exp( 1 [ 0 m t kt V V ,были построены графики зависимостей t V V V 0 0 ln ln от t ln и
установлено, что лучшее совпадение имеет место при 3 m , что свидетельствует о двухмерном росте образующихся зародышей.
Величины обшей суммарной энергии активации процесса кристаллизации, определенные по наклонам прямых зависимостей k ln от 1/Т, а также величины энергий активаций зародышеобразований (Е
случаю отсутствия внешнего электрического поля. Для сравнения найденные значения приведены в таблице 1.
Из полученных нами экспериментальных данных видно, что при кристаллизации аморфных пленок соединений составов CuIn(Ga)S 2 (Se 2 ,Te 2 ), исключая 2
, независимо от условий и внешних воздействий, наблюдается двухмерный рост кристалликов. Значение энергии активации кристаллизации пленок, полученных под воздействием внешнего электрического поля, меньше соответствующих величин для пленок, конденсированных вне поля – отсутствии электрического поля [5,6].
Уменьшение энергий активаций обусловлено тем, что под действием электрического поля происходит смещение и деформация цепочечных молекул CuInS 2 (Se 2 ,Te 2 ) и CuGaS 2 (Se 2 ,Te 2 ) , что облегчает их разрыв на более короткие цепочки или фрагментов цепочек, вследствие чего увеличивается
102 212 222 14
Таблица 1. Значения энергий активаций кристаллизации тонких пленок соединений группы А 1 В
С 2 6 Cоединение Напряжен- ность электрического плоя m Е общ Ккал/моль Е з Ккал/моль Е р Ккал/моль 2
Е=0 Е=1500в/см 3 3 82,4 75,3 25,5 20,3 28,4 27,5 2
Е=0 Е=1500в/см 4 4 130,0 118,2 29,0 23,2 33,6 31,7 Е=0 Е=1500в/см 3 3 78,3 69,8 18,6 15,5 29,85 27,2 2
Е=0 Е=1500в/см 3 3 115,1 98,7 45,2 38,0 34,9 30,4 2
Е=0 Е=1500в/см 3 3 93,3 75,7 31,7 25,5 30,8 25,4 2
Е=0 Е=1500в/см 3 3 78,7 65,5 25,2 19,6 26,8 22,9
их подвижность. С другой стороны, смещение молекул вызывает нарушение их ориентации в предкристаллизационной аморфной фазе, что в свою очередь приводит к увеличению работы образования зародышей, представляющих собой готовых центров кристаллизации. Таким образом, внешнее электрическое поле независимо от того, как оно приложено параллельно или перпендикулярно плоскостям подложек (100), снижает температуру кристаллизации аморфных пленок и способствует увеличению скорости кристаллизации аморфных пленок. При этом мерности роста кристалликов остаются неизменимыми.
1. Абдуллаев Г.Б, Ланге В.Н, Мамедов К.П, Одобеску А.И. Влияние электрического поля на процесс кристаллизации селена // физ. и химобработки материалов 1976, № 3, с. 157-159 2. Бурчакова В.И, Козловский М.И. Влияние постоянного электрического поля на структуру пленок виcмут кристаллография, 1971, т. 16, № 2, с. 408-410. 3. Исмаилов Д.И, Алиев Ф.И, Шафизаде Р.Б. Электронографическое исследование кинетики кристаллизации тонких пленок Tl S // кристаллография, 1983, т. 28, № 4, с. 822-829. 4. Вайнштейн Б.К. Структурная электронография. М: Изд. Ан СССР, 1956, 315 с. 2
Yüklə 1,43 Mb. Dostları ilə paylaş:
|